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国家自然科学基金(10275021)

作品数：9 被引量：35H指数：4
相关作者：刘平曾波刘晓芳徐瀚邓记才更多>>
相关机构：郑州大学周口师范学院更多>>
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相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电容
  • 3篇输出电容
  • 3篇非线性
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电源
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体天线
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电容
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀电源
  • 1篇电功
  • 1篇电功率
  • 1篇电路
  • 1篇电压

机构

  • 9篇郑州大学
  • 1篇周口师范学院

作者

  • 9篇刘平
  • 4篇曾波
  • 2篇徐瀚
  • 2篇刘晓芳
  • 1篇郭艳花
  • 1篇宋慧娜
  • 1篇贾琦
  • 1篇刘晓芳
  • 1篇刘黎刚
  • 1篇周思华
  • 1篇臧振刚
  • 1篇邓记才
  • 1篇张志
  • 1篇宋慧娜
  • 1篇张海东
  • 1篇宋惠娜

传媒

  • 3篇微计算机信息
  • 3篇郑州大学学报...
  • 1篇高电压技术
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
等离子体天线的发射特性被引量：14
2006年
采用自行设计的高频发射机(10-20 MHz),时环天线和线天线进行了激发实验．结果表明：直接耦合环形天线在射频(RF)功率大于10 W时,可激发天线中的气体形成等离子体,射频功率降到5 W时,等离子体仍可维持．对于线天线,直接耦合时射频功率达到20 W时可激发产生等离子体；电容耦合时射频功率达到30 W时可激发产生等离子体,射频功率降至10 W时,两种耦合方式均可维持等离子体．用环形金属天线作接收天线,剥量了环状和线状等离子体天线在直接耦合方式和电容耦合方式时的发射性能,结果表明：等离子体天线与普通金属天线一样具有辐射性能,接收到的信号电平随发射信号电平增大而增大,呈近似线性关系．因此,等离子体天线可以用于高频无线电通信．
刘平刘黎刚邓记才贾琦
关键词：等离子体天线
基于AVR Studio的STK500协议的实现被引量：2
2008年
STK500协议是ATMEL公司为实现主机与STK500开发板之间相互通信而制定的协议,该协议的主机端软件平台是其官方软件AVR Studio,通过该软件能够很方便地对AVR器件进行仿真调试及下载。本文使用AVR系列单片机ATMEGA16L完成了STK500协议的主要功能,从而能够通过AVR Studio方便地对AVR系列单片机进行编程和配置。
刘平张志臧振刚张海东
关键词：AVR单片机状态机
基于PDM的高频感应加热电源的设计与实现被引量：1
2015年
介绍一种以MOSFET为开关器件的高频感应加热电源.设计制作出100 k Hz/5 k W的小功率高频感应加热电源样机,该电源采用脉冲密度调制(PDM)调功控制方式,谐振电路采用串联谐振方式,能够有效克服加热过程中负载参数变化带来的影响,使功率开关管始终工作在零电压开通状态.对该电源的逆变电路、控制电路等方面做了研究和试验.试验结果表明:采用的PDM控制模式和串联谐振电路,能够满足小功率高频感应加热电源的工作要求.
臧甲杰刘平徐瀚陈睿科
关键词：功率MOSFET高频电源PDM
MOSFET输出电容的非线性对振荡频率的影响被引量：4
2007年
MOSFET的寄生参数会影响振荡器的性能指标。例如:漏极与源极之间的寄生电容(输出电容COSS)的存在会影响振荡器的频率。而且,COSS呈非线性特性。本文独具创新,以MOSFET的寄生电容作为振荡器的谐振电容。在这篇文章中,构造了包含非线性电容的电路等效模型,借助Matlab软件分析了非线性电容COSS对振荡频率的影响。分别获得了振荡频率随输出射频电压幅度变化和随直流电源电压变化的曲线。
刘平刘晓芳曾波宋惠娜
关键词：输出电容非线性振荡频率
准高频介质阻挡放电功率及负载等效参数测量被引量：10
2010年
为了解准高频条件下介质阻挡放电特性以及实现等离子体电源与放电管之间的匹配,采用Q-ULissajous图形法研究了外加电压幅值和频率对介质阻挡放电(DBD)的放电功率、等效电容等放电参量的影响。试验结果表明,增大外加电压幅值和工作频率,微放电通道发光强度增强,传输电荷能力增强,放电功率增大;随着外加电压幅值和工作频率的增大,放电管总等效电容C在1.350～1.356nF范围内变化,电介质等效电容Cd增大,放电间隙等效电容Cg减小,直至放电稳定时Cd和Cg分别达到稳定值。
刘平郭艳花周思华
关键词：介质阻挡放电电源频率电压幅值等效电路放电功率等效电容
MOSFET输出电容非线性对振荡器工作状态影响
2007年
由于MOSFET漏源极间的非线性寄生电容,也即输出电容Co的存在会影响振荡器的工作状态及效率。因此,构建了包含非线性电容的振荡电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,用Matlab分析了非线性电容Co对振荡器的工作状态及其效率的影响。实验结果与理论分析保持了很好的一致性。理论分析和实验均表明,利用Co的非线性,可以提高振荡器的工作效率。
刘平曾波刘晓芳宋慧娜
关键词：振荡器
电镀电源双环控制系统设计
2016年
电镀电源具有低压、大电流工作特性,传统的电压控制模式因动态响应慢和不能动态限流等缺陷而难以满足控制要求.经比较分析,提出了使用电压外环、电流内环的双环控制器控制方案.对电镀电源系统进行建模分析,按照先电流内环后电压外环的顺序设计双环控制器.对系统模型使用伯德图进行环路稳定性分析,设计环路参数,并根据双环系统工作时电路出现的条件稳定现象对电流环路参数进行修正,并对设计的环路进行了试验.试验结果表明,双环控制系统正常工作,具有实用价值.
刘平徐瀚臧甲杰陈睿科
关键词：电镀电源双环控制环路稳定性
MOSFET输出电容的非线性对振荡谐波的影响被引量：5
2007年
MOSFET的输出电容COSS具有非线性。在射频震荡器中,电容的这一非线性会影响振荡器的谐波分量。本文选取不同直流电源电压和输出电压,对在不同工作状态下振荡器的输出谐波分量进行了Matlab数值分析。实验结果验证了数值分析的结论。
刘平宋慧娜刘晓芳曾波
关键词：输出电容非线性谐波分量
E类放大电路中晶体管的功率损耗
2007年
在理想情况下,E类放大电路的效率可以达到100%,因此E类放大电路适用于高功率,高频率电路的设计,但在实际情况下,由于所有的器件都不是理想的。例如,电感、电容中会有寄生电阻的存在,晶体管的饱和电压,饱和电阻以及集电极电流的下降时间不为零,这些因素的存在都会导致E类放大电路的效率降低,但当电路的负载匹配且处于谐振状态,则引起电路功率损耗的主要因素也就是晶体管中的功率损耗。对E类放大电路中由晶体管引起的损耗进行分析,并得出简单的估算方法,并用实验的方法验证。
刘平曾波
关键词：E类放大器晶体管功率损耗DC-DC变换器
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