湖北省自然科学基金(98J036)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能被引量：1
- 2001年
- 采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别为 13μC/ cm2和 48k V/ cm.从C- V和 I- V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象 ,记忆窗口约 1.1V,+4 V偏压下电流密度为 3.9× 10 - 6 A/cm2 .
- 王华于军董晓敏周文利王耘波谢基凡
- 关键词：脉冲激光沉积铁电薄膜锆钛酸铅
- Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性被引量：2
- 2001年
- 采用脉冲激光沉积方法 (PLD)制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 .铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别约为 1 5 μC/cm2 和 48kV/cm ;1 0 9次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降 1 0 %和增加 1 2 % ;观察到源于铁电极化的C V和I V特性回线 ;电流密度 + 4V电压下为 6 .7× 1 0 -8A/cm2 ;在 + 2V的读电压下 ,读“1”和读“0”电流有 0 .0 5 μA的明显差别 ;保持时间达 30min以上 .
- 于军王华董晓敏周文利王耘波郑远开赵建洪谢基凡
- 关键词：铁电薄膜脉冲激光沉积PZTBIT电滞回线
- Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管的可靠性被引量：1
- 2001年
- 采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对该二极管的I V特性、电容保持特性、疲劳 (fatigue)特性和印迹 (imprint)特性进行了研究 .结果表明 :该铁电二极管的I V特性表现出明显的单向导电性 ,表现出类似于Schottky二极管的特性 ,电流密度在 + 4V电压下为 6 .7× 1 0 -8A/cm2 ,而在- 4V电压下仅 - 5 .3× 1 0 -10 A/cm2 ,5 0℃以下该特性得以良好保持 ;撤除所施加的5V偏压后 ,经 1 0h观察 ,电容仅变化 5 % ,二极管具有较好的电容保持特性 ;在1 0 0kHz ,5V双极方波加速疲劳下 ,1 0 7次开关极化以后铁电薄膜系统几乎没有显示任何疲劳 ,经 1 0 9次极化循环 ,剩余极化Pr 仅下降 1 0 % ,矫顽电场Ec 增加 1 2 % ;2 0 0W紫外灯光辐照 2 0min后 ,尽管剩余极化和矫顽电场均有所变化 ,并产生了电压漂移 (voltageshift) ,但印迹优值因子FOM约 0 .2 。
- 王华于军董晓敏周文利王耘波颜冲周东祥
- 关键词：铁电存储器I-V特性可靠性
- Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性
- 2001年
- 采用脉冲激光沉积方法 (PL D)制备了 Au/ PZT/ BIT/ p- Si多层结构铁电存储二极管 .对铁电存储二极管的P- E电滞回线、I- V特性曲线分别进行了测试与分析 ,并对其导电行为及基于 I- V特性回滞现象的存储机理进行了讨论 .实验表明 ,所制备的多层铁电薄膜具有较高的剩余极化 (2 7μC/ cm2 )和较低的矫顽场 (4 8k V/ cm ) ,BIT铁电层有助于缓解 PZT与 Si衬底之间的界面反应和互扩散 ,减少界面态 ,与 Au/ PZT/ p- Si结构相比 ,漏电流密度降低近两个数量级 ,I-
- 于军王华2.董晓敏周文利王耘波郑远开赵建洪
- 关键词：I-V特性PLD铜PZTBIT
