国家自然科学基金(10244007)
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 相关作者：吴正龙王金梅王亚芳杨百瑞陈鸾更多>>
- 相关机构：北京师范大学中国地质大学（北京）更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除被引量：4
- 2005年
- X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰。在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的C1s和N1s又会受到ZnLMM干扰。类似地,AlKα激发的GaN样品中N1s受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,C1s峰又受到的GaLMM的干扰。交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析。
- 吴正龙
- 关键词：XPSGAN
- 闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性被引量：2
- 2010年
- 室温下掺铊碘化铯（CsI∶Tl）晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰：310 nm（4 eV）、270nm（4.6 eV）和245 nm（5.1 eV）。采用这3种不同激发能量（对应不同激发机制）的近紫外（UV）光激发得到的荧光（PL）光谱相同。这些PL谱与钨（W）靶X射线激发的辐照致荧光（RL）谱也类似。经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV（400 nm）、2.55 eV（486 nm）、2.25 eV（550 nm）和2.1 eV（590 nm）发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl＋Va＋、Tl0Va＋,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明：X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。
- 吴正龙王金梅王亚芳陈鸾杨百瑞
- 关键词：闪烁晶体辐照缺陷
- 不同浓度掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的光谱特性被引量：2
- 2011年
- 对含有不同浓度Tl+激活剂的CsI∶Tl晶体进行了光吸收光谱和荧光光谱测量,以研究CsI∶Tl的光学吸收和发光特性。实验观察到,在紫外吸收谱中包含有三个特征结构峰297,273和247nm,高浓度Tl+晶体的吸收结构峰比低浓度的峰明显加宽,其中A吸收峰297nm红移20nm。室温下不同能量紫外光激发的荧光带形状相同,不受Tl+浓度影响。分析认为,晶体中掺杂Tl+后晶格畸变是导致吸收峰或荧光激发峰变化的主要原因,但对发光带峰宽和峰位影响不明显。
- 吴正龙
- 关键词：闪烁体吸收光谱
