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电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(CXJJ200901)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：邓宏韦敏陈金菊邓雪然更多>>
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发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇探测器
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇合金
  • 1篇XO
  • 1篇AZO
  • 1篇MSM
  • 1篇MSM光电探...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇邓雪然
  • 1篇陈金菊
  • 1篇韦敏
  • 1篇邓宏

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Al_xZn_(1-x)O合金MSM光电探测器的研究被引量：1
2011年
在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO（AZO）合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属（MSM）结构光电探测器。采用UV-Vis-Nir分光光度计测量AZO系列薄膜的光吸收特性,观察到AZO合金薄膜的光学吸收带边随Al含量增加明显蓝移。测试AZO探测器的电流-电压特性、时间特性和响应光谱发现,随Al含量的增加,紫外光照下的电流-电压曲线呈现出明显的非线性特征,且光响应时间显著变小;30at.%Al含量样品在5 V偏压下暗电流为14 nA,光暗电流比达到10倍,上升时间和下降时间都小于1 s;Al含量为5 at.%时获得光电导型紫外光电探测器,而Al含量为30 at.%时获得紫外增强型Si探测器,其响应光谱变宽为0.3~1.0μm。
韦敏邓宏邓雪然陈金菊
关键词：光电探测器合金
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