公共文化服务平台

国家重点基础研究发展计划(2010CB327500): 作品数：10 被引量：16H指数：3; 相关作者：张立军鲁辉郑占旗张一恒吴桂波更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所南京大学湖南大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

新型数控光纤矢量和微波光子移相器: 2013年; 针对相控阵天线中基于光纤的微波光子移相器原理进行研究,并设计了新型方案,通过引入可调分光器和保偏光纤,降低了移相器的复杂性和相干干涉损耗,在对光纤长度的精度要求上有很大改善,从而提高了可实现性,增强了移相器的可控性。研究了分光系数和频率对信号相位和幅度的影响,实现了超过140°的相移。最后通过设计数控电压源实现对分路器驱动电压的调整,从而改变两路光纤的光分量,最终实现对输出信号相位的数字控制。该新型微波光子移相器方案易于实现,并具有一定的创新性。; 鲁辉张立军吴桂波郑占旗冷永清; 关键词：微波光子移相器相控阵天线保偏光纤

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)被引量：5: 2011年; 报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz,最大振荡频率(fmax)为105GHz.采用湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50 GHz,最大振荡频率提高到200 GHz.; 刘果果魏珂黄俊刘新宇牛洁斌; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 蓝宝石衬底湿法腐蚀

基于RBF神经网络的模拟数字信号调制识别: 2012年; 针对多种信号在低信噪比条件下识别率低的问题,利用高阶累积量良好的抑制噪声特性,通过构造高阶累积量作为特征参数之一,并联合其他特征参数,采用优化的径向基神经网络对模拟数字信号进行自动调制识别。Matlab仿真表明,该种方法能够有效提高低信噪比条件下的信号识别率。; 何飞张立军刘肃鲁辉郑占旗; 关键词：信噪比调制识别高阶累积量特征参数

AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合: 2011年; 利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.; 王鑫华赵妙刘新宇蒲颜郑英奎魏珂; 关键词：HEMT 费米能级 C-V特性

一种消除功率放大器低频振荡的方法: 2010年; 功率放大器是发射机的重要部件之一,在S波段GaN HEMT平衡功率放大器设计中常出现低频段振荡,为了消除这种类型的振荡,文中提出了在合成管GaN HEMT的栅极和地之间放置改进型的LCR复合有耗吸收网络的方法。由于吸收网络的电阻在低频段有效并入电路,在工作频段内被短路,因此,降低了带外低频端的高增益,从而消除了功率放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡,而对工作频带内的增益和驻波性能没有明显影响。; 冷永清曾云张立军安斌陈晓娟张一恒郑占旗; 关键词：S波段低频振荡

A revised approach to Schottky parameter extraction for GaN HEMT: 2010年; We carry out a thermal storage research on GaN HEMT at 350℃for 48 h,and a recess phenomenon is observed in the low voltage section of Schottky forward characteristics.The decrease of 2DEG density will be responsible for the recess phenomenon.Because the conventional method is not suitable for this kind of curve,a revised approach is presented by analyzing the back-to-back Schottky junction energy band to extract Schottky parameters, which leads to a consistent fit effect.; 王鑫华赵妙刘新宇郑英奎魏珂; 关键词：HEMT器件肖特基结 GAN 氮化镓

基于光纤的矢量和微波光子移相器研究: 2011年; 针对相控阵天线中几种微波光子移相器的实现方法进行了分析比较,重点对基于光纤的微波光子移相器原理进行研究,并在此基础上设计了实现方案,通过引入光可调定向耦合器和保偏光纤,降低了移相器的复杂性和相干干涉损耗,增强了移相器的可控性。并对光纤精度控制进行了分析,最后给出了基于4路保偏光纤的0°-360°移相器方案。该方案易于实现且有一定的新颖性。; 鲁辉张立军郑占旗张一恒; 关键词：相控阵天线微波光子移相器保偏光纤

一种改进的基于多段信号融合的频率估计算法被引量：7: 2012年; 在利用信号融合来进行频率估计时,由于相位不连续性会造成很大的误差,通过相位校正,可以得到很好的估计效果,然而其运算量也将随之增加,本文利用频谱细化的思想,提出一种新的多段等长同频信号融合算法。为验证算法的有效性,对算法进行仿真,仿真结果表明,该算法在提高算法精度的同时,大大降低了运算量,使其更适合于对实时性要求较高的应用。; 吴桂波张立军鲁辉孟真彭亚涛; 关键词：频率估计信息融合频谱细化

高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器被引量：3: 2014年; 以碳化硅(SiC)和Ⅲ族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作于紫外波段的光探测器件具有显著的材料性能优势.宽禁带半导体紫外探测器的主要应用包括:国防预警、环境监测、化工和生化反应的光谱分析和过程检测、以及天文研究等.本文主要回顾近年来南京大学在此方面开展的一些代表工作,所涉及到的典型器件有:具有极低暗电流的AlGaN基日盲MSM紫外探测器、高量子效率AlGaN基日盲雪崩光电探测器、以及SiC基可见光盲紫外单光子探测器.; 陆海陈敦军张荣郑有炓; 关键词：宽禁带碳化硅紫外探测器

用于光子晶体波导慢光测试的时间和相位延迟方法被引量：1: 2012年; 光子晶体慢光波导以其体积小,易于集成等优点,近年来成为国内外研究者用于实现全光缓存器的热点技术。基于SOI晶圆制作了光子晶体波导,并对其进行了数值仿真和实验测试。计算了波导的能带和群折射率与波长的关系曲线。通过相位延迟和时间延迟方法对波导群折射率进行了测量。相位延迟方法得到的群折射率曲线与仿真结果具有相同的趋势。通过时间延迟的方法测量了脉冲延时,大约是4.7 ps,得到的结果与相位延迟计算结果相吻合。; 鲁辉张立军郑占旗张一恒; 关键词：光子晶体慢光相位延迟

国家重点基础研究发展计划(2010CB327500)