贵州省自然科学基金(20132092)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：胡明哲黄梦雅丁召王一罗子江更多>>
- 相关机构：贵州大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- UWB天线的宽带化技术及其发展被引量：6
- 2014年
- 在现代通信技术中,为了实现通信保密、排除干扰、提高通信效率等,超宽带系统得到了大力发展,然而,在一定程度上却受制于系统中超宽带天线的阻抗带宽。详细介绍了展宽天线阻抗带宽的4种方法,包括渐变阻抗方法、分形几何方法、微带天线开槽方法和非频变结构方法,其中分形几何方法由于其几何结构的自相似性使得其贴片电流分布具有自相似性,从而导致天线的多频点谐振,有效拓展了天线带宽。上述4种天线尽管作用原理互不相同,但在超宽带天线的工程应用中,研究者可将这些方法单独或同时应用于天线结构设计,使得天线既能保持良好的方向性和增益等性能,又能获得较大带宽。
- 黄梦雅丁召胡明哲
- 关键词：超宽带天线阻抗带宽
- 生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3
- 2014年
- 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。
- 王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召
- 关键词：分子束外延IN0
