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便携式EDXRF在RoHS符合性实践中应用及其影响因素分析被引量：1: 2009年; 为了更好地遵守RoHS指令,对便携式EDXRF在RoHS符合性实践筛选中存在的问题进行了分析,并讨论了材料均匀性、厚度、密度、形状、照射面积、时间等因素的影响,结果表明,XRF要求试样最小面积为1 mm^2,能穿透的最大厚度为20.7 μm,金属或合金材料最佳照射时间是3 min,无机非金属或有机材料为5～8 min.对于泡沫或粉状试样,其紧密度对检测准确性也有一定影响,紧密度越大,检测强度值越高.针对分析中材质效应、内元素干扰、光谱交迭等问题,采用参数拟合法加以克服,提高了分析的精确度和灵敏度;采用指数回归方法检测出电子产品涂层或镀层厚度,其精确度与SEM测厚相当,这为遵守RoHS指令提供了技术支持.; 华丽郭兴蓬杨家宽; 关键词：EDXRF 影响因素

单分散聚合法制备聚苯乙烯微球被引量：1: 2011年; 采用苯乙烯(St)为单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为分散剂,无水乙醇和去离子水混合溶液作为分散介质,单分散聚合法制备聚苯乙烯微球并对聚合过程影响因素进行了探索,找出了最佳聚合条件,分别是单体浓度为45-50wt.%,AIBN浓度为3wt.%,分散剂PVP浓度1.5～2wt.%,分散介质醇水比为10:1,反应温度为95℃,反应时间为12h,在此条件下获得的微球单分散性好、粒径分布窄,平均粒径为5μm且占合成微球质量比为95%以上的聚苯乙烯微球。通过对反应产物洗涤前后的SEM电镜对比分析,进一步证明了分散剂PVP在反应过程中是以物理吸附的形式吸附在微球表面。; 华丽张洪权胡庆兰张蕾; 关键词：聚苯乙烯微球粒径分布

痕量PBBs/PBDEs GC/MS分析法中PCB及其衍生物干扰消除方法被引量：1: 2011年; 电子电气产品中痕量阻燃剂聚溴联苯/聚溴联苯醚(PBBs/PBDEs)的检测通常采用气相色谱/质谱(GC-MS)联用法,但该法是建立在持久性污染物多氯化苯/多氯化萘(PCBs/PCNs)基础上,因此此类物质干扰不可避免。为了解决此类问题,提出了2种解决方法:1)阴离子化学电离-气相色谱/质谱联用法(GC/MS-NICI)和电子轰击-气相色谱/质谱联用法(GC/MS-EI)联合使用;2)以YMC ODS-C18为载体,基质固相分散法(MSPD)吸附分离。结果显示,前者可以同时洞察聚溴联苯和联苯醚的分子链断裂后阴离子碎片[Br]-,[HBr2]-和分子链段碎片[M+2]+,[M+4]+,[M+6]+,[M+8]+的滞留峰,增加了对溴系阻燃剂的选择性。后者可以有效分离多种多氯化苯与聚溴联苯醚的色谱峰,这为溴系阻燃剂气相色谱/质谱联用分析法中多氯化苯及其衍生物干扰提供了新的解决方法。采用此方法对8类电子电气产品中10种聚溴联苯醚和多氯化苯进行加标回收实验及精密度分析,回收率在60%～98%,相对误差在9.5%以内,符合国际电工委员会(IEC)对溴系阻燃剂检测精度要求,说明方法具有较高的可靠性,也为我国电子电气业更好遵守RoHS指令提供了技术支持。; 华丽张洪权张蕾刘涛黄元乔

聚苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯交联微球的制备及表面化学镀镍磁性化处理被引量：4: 2011年; 采用苯乙烯(St)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP-K30)为分散剂,无水乙醇和去离子水混合溶液为分散介质,三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTMA)为交联剂,以饥饿态加料方式加入第2种单体,用单分散聚合法制备了粒径分布窄、平均粒径为3～4μm的聚苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯(P(St-MMA))交联微球,并对微球表面进行化学镀镍,成功获得了磁性微球。采用扫描电镜,结合X-射线能谱仪等仪器对化学镀镍前后微球的形貌和成分进行分析,探讨了最佳化学镀镍工艺条件为:胶体钯活化液活化,酸性镀液配方B、pH=6.0,镀液注入速率0.5 mL/min,此时获得的镀球表面平整度好,包覆完全,且Ni与基材结合力强,在离心和超声条件下镀层不易脱落或开裂。最佳工艺条件下获得的镀球N-iP(St-MMA)的平均密度为2.3～2.5 g/cm3,同时具有高分子微球质量轻和镍的磁性优点。; 华丽朱世明张蕾董桃杏; 关键词：化学镀镍

Bi掺杂对Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料电化学腐蚀性能及枝晶生长的影响被引量：3: 2012年; 采用动电位扫描和交流阻抗等方法研究Bi掺杂对Sn-3.0Ag-0.5Cu钎料在3.5%NaCl(质量分数)溶液中电化学腐蚀性能及枝晶生长的影响;采用SEM和XRD技术分析其腐蚀形貌及成分。结果显示:随着Bi含量增加,腐蚀电流密度增大,但自腐蚀电位不呈规律性变化。阻抗谱显示:掺杂前后阻抗谱特征相同,均可用两个时间常数的等效电路模型表示,其拟合误差<5%。随着Bi含量的增加,容抗弧半径减小,电荷传递电阻和腐蚀产物膜电阻均减小,耐蚀性能降低。SEM像显示,Bi掺杂对钎料在介质中电化学迁移速度有减缓作用,因而对迁移所致的枝晶生长具有抑制作用。XRD谱显示,枝晶主要成分为Sn和Cu6Sn5,同时伴有少量的Bi和Ag3Sn。; 华丽郭兴蓬杨家宽; 关键词：枝晶生长

Sn-0.7Cu焊料在覆Cu FR-4 PCB板上电化学腐蚀及枝晶生长行为研究被引量：4: 2010年; 用动电位扫描结合EDAX、XRD和SEM研究无铅焊料Sn-0.7Cu在覆Cu FR-4基板上于3.5mass%NaCl溶液中电化学腐蚀行为及枝晶生长过程。结果显示,Sn-0.7Cu钎料腐蚀主要以共晶组织中Sn腐蚀为主;且随着电场强度增大,腐蚀电流密度增大,低电场为均匀腐蚀,高电场时有不均匀腐蚀发生。钎料枝晶生长引起"桥连"短路问题严重影响电子产品可靠性,EDAX分析表明,枝晶上Cu离子含量大于Sn离子,说明Cu离子的电化学迁移能力和还原沉积能力大于Sn。枝晶生长是螺旋式从内到外沿四个方向最快伸展的生长方式,晶粒形成存在一定取向,主要为(411)和(220);电场强度越大,枝晶生长速率越快,桥连时间愈短;当阴、阳间距为3 mm时,两极桥连时间分别为12.5 h(8 V),20.4 h(5 V),28.5 h(3 V),39.6 h(1V)。XRD结果显示其腐蚀产物主要为:SnO_2,SnCl_4;枝晶组成主要为:Sn,SnO_2,SnCl_4,Cu,CuCl_2。; 华丽郭兴蓬杨家宽; 关键词：枝晶生长动电位扫描 EDAX XRD

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湖北省教育厅重点项目(D20093103)