国家科技重大专项(2009ZX02011)
- 作品数：9 被引量：36H指数：3
- 相关作者：周旗钢滕冉康仁科董志刚郭东明更多>>
- 相关机构：北京有色金属研究总院大连理工大学北京理工大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划NSFC-广东联合基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信经济管理更多>>
- 热屏结构对大直径单晶硅生长影响的数值分析被引量：2
- 2014年
- 采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响。计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等。计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低。
- 滕冉常青吴志强汪丽都戴小林肖清华姜舰张果虎周旗钢
- 关键词：单晶硅有限元法热屏
- 单晶硅片超精密磨削技术与设备被引量：12
- 2010年
- 结合单晶硅片的发展,回顾了单晶硅片超精密磨削技术与设备的发展历程,对比分析了广泛应用的转台式磨削、硅片旋转磨削和双面磨削等硅片磨削技术的原理及代表性设备的特点,讨论了用于单晶硅片平整化加工和背面减薄加工的低损伤磨削技术的最新进展,并对单晶硅片磨削技术的发展趋势进行了展望。
- 朱祥龙康仁科董志刚郭东明
- 关键词：单晶硅片超精密磨削
- 胍基硅前驱体的合成及应用被引量：1
- 2019年
- 以胍基取代的二甲基二氯硅烷与胺基锂反应合成了3种硅基化合物,使用核磁共振、高分辨质谱、元素分析对化合物结构进行了表征,通过热重分析(TGA)研究了化合物的热稳定性、挥发性、蒸汽压等性能。3种化合物均具有良好的热稳定性及挥发性,无明显热分解过程,固体残留小于1%,接近纯挥发过程,最高蒸汽压在3600~5300 Pa,满足前驱体使用要求。以二甲基-胍基-甲乙胺基-硅烷为前驱体,采用螺旋波等离子体气相沉积(HWPCVD)工艺制备了硅基薄膜,使用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的化学组成和膜表面结构,XPS分析结果证实该薄膜为Si、N、C组成,实验结果表明,该类胍基硅化合物可作为硅基化学气相沉积(CVD)前驱体材料应用于集成电路制造。
- 马潇许从应许东升丁玉强金成刚季佩宇
- 关键词：前驱体化学气相沉积
- 12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究被引量：2
- 2011年
- 集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置。传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展。本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要。
- 朱亮周旗钢戴小林张果虎曹建伟邱敏秀
- 关键词：直拉法硅单晶
- 晶体生长过程建模及解耦控制被引量：1
- 2011年
- 晶体生长过程中其直径的控制是通过调节生长速度和热场温度而实现的。控制系统是一个双入双出系统,输入输出之间存在耦合关系。本文采用前馈补偿解耦的方法,实现了单晶炉生长控制中的解耦控制,并通过仿真及实验证明了方法的有效性。
- 王庆姜雷张婷曼
- 关键词：单晶炉解耦控制前馈补偿
- 特征分析视角下半导体制造产业关键技术分布研究被引量：7
- 2019年
- 本文从产业关键技术特征分析的视角出发,构建两阶段递进型产业关键技术识别分析框架,利用GN共被引社区发现算法对半导体制造领域基础性技术主题的识别及发展趋势进行分析,并在此基础上借助动态专利组合分析模型进一步对半导体制造领域关键技术的分布进行研究。最终发现,当前半导体制造产业的关键技术主要聚焦在光伏半导体制造技术、存储器制造技术、半导体打印制造工艺以及SIP封装技术;产业内技术创新整体的活跃性呈下降态势,但技术之间相互关联程度逐渐增高,且技术发展方向不断聚焦;此外,半导体制造产业在2007—2011年处于技术变革期,原有产业技术结构出现较大变动,新兴技术逐渐吸引产业更多的关注,而2012—2016年则在整体上进入技术深化期,产业技术结构进一步稳固。
- 李宏宽何海燕单捷飞姜李丹
- 关键词：半导体制造
- 高精度温度采集技术研究及其板卡研发
- 精密加工、精密光学、半导体设备等领域对工作环境温度的稳定性提出了苛刻的要求。其中国产光刻机要求其工作环境温度控制精度达到±0.005℃，而国内并无满足此类需求的高精度温度测量及控制产品，光刻机研发过程极度依赖国外测温设备...
- 周超前
- 关键词：温度测量数字滤波
- 文献传递
- IC装备多领域建模、仿真和设计
- 2012年
- 2011年“IC（集成电路）装备工艺模拟与多领域建模工艺仿真设计”国际会议（InternationalConferenceonMulti-FieldsModeling，ProcessingSimulationandDesignofICEquipments，ICMMPSD）及“设计前沿和实践研讨会“（AdvancedDesignConceptsandPractice，ADCP2011）于2011年7月6．8日于北京清华大学举行。
- 侯悦民季林红
- 关键词：多领域建模IC集成电路
- 双作用气缸在单晶炉中的应用
- 2012年
- 介绍了单晶炉的主要机械结构以及气缸的基本知识,根据目前单晶炉设备所需要的自动化程度的不断提高,介绍了双作用气缸在单晶炉中翻板隔离阀处阀盖开、关机构上的应用。
- 吴世海
- 关键词：单晶炉阀盖气缸
- 大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状及熔体流动的数值分析被引量：11
- 2013年
- 数值模拟技术是提升大直径硅单晶质量、降低晶体制备成本的有效工具。利用切克劳斯基法生长硅单晶时,固/液界面的形变程度是衡量晶体质量的关键参数。由于单晶炉体内的高温环境导致对界面的直接观察极为困难,因此本文采用有限元法对生长16英寸直径硅单晶过程中,不同生长阶段的固/液界面形状及熔体流动情况进行计算。数值计算结果表明:在本文所用的热场及工艺参数条件下,随着晶体长度的不断增加,固/液界面的形变量增加同时晶体内部的热应力加大;通过对晶体提拉速率及晶体转速-坩埚转速的比值的调整,我们发现,降低晶体的提拉速率以及精确的控制转速比可以使晶体各个阶段都获得比较理想的界面形状。
- 滕冉戴小林肖清华周旗钢常青
- 关键词：单晶硅熔体流动
