博士科研启动基金(B2013-046)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：河南理工大学中国科学技术大学更多>>
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- 辅助C束流对6H-SiC(0001)热退火生长石墨烯的影响
- 2014年
- 在6H-SiC(0001)衬底上,通过辅助C束流在不同退火温度下生长石墨烯,并通过原位反射式高能电子衍射、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构谱和原子力显微镜等实验技术对生长的薄膜进行结构表征。实验结果表明:辅助C束流能够降低SiC表面石墨烯的形成温度,在退火温度800℃时就能够形成石墨烯。随着退火温度的升高,石墨烯的晶体质量也逐渐提高。在退火温度达到1300℃时,辅助C束流对在6H-SiC上生长石墨烯的晶体质量具有明显的改善作用。本文认为在高衬底温度下,沉积的C原子能与SiC表面剩余的C原子相结合,沿着存在较强相互作用的界面形成稳定有序的石墨烯片层。
- 康朝阳蔡红新乔文涛樊乐乐邹崇文徐彭寿
- 关键词：石墨烯
- 应力对蓝宝石衬底上生长二氧化钒薄膜结构和光电性能的调控被引量：4
- 2018年
- 利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上生长不同厚度的VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电性能进行研究。结果表明:所沉积的VO_2薄膜为具有单晶性能、表面平整的单斜晶相的VO_2薄膜,相变前后,方块电阻的变化可达到3～4个数量级,在波长为2500nm的透过率变化最高可达56%,优化的可视透过率(T_(lum))和太阳能调节率(?T_(sol))为43.2%和8.7%。薄膜受到的应力对VO_2薄膜有重要影响,可以通过调节薄膜的厚度对VO_2薄膜光电性能实现调控。当VO_2薄膜厚度较小时,薄膜受到拉应力,拉应力能使相变温度显著降低,金属–绝缘体转变性能(MIT)不但与载流子浓度的变化相关,而且还受载流子迁移率变化的影响;当VO_2薄膜厚度较大时,薄膜受到压应力,VO_2薄膜的相变温度接近块体VO_2的相变温度,MIT转变主要来自于载流子浓度在相变前后的变化,其载流子迁移率几乎不变。
- 张聪康朝阳宗海涛李明梁珊珊曹国华
- 关键词：脉冲激光沉积VO2应力光电性能
