江苏省高校自然科学研究项目(06KJB510077)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 相关作者：郭宇锋李肇基王志功刘勇更多>>
- 相关机构：电子科技大学中国电子科技集团第二十四研究所东南大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目博士科研启动基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备
- 2007年
- 提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和化学机械抛光来实现键合面的局部和全局平坦化;通过室温真空贴合、中温预键合和高温加固键合来进行有源片和衬底片的牢固键合.基于该技术研制了有源层厚度为21μm、埋氧层厚度为0.943μm、顶面槽和底面槽槽高均为0.9μm的具有双面绝缘槽结构的非平面埋氧层新型SOI材料.测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点.
- 郭宇锋李肇基张波刘勇
- 关键词：SOI平坦化键合埋氧层
- SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型
- 2008年
- 高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一。首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式。模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证。
- 郭宇锋王志功
- 关键词：电场分布击穿电压
- 一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构
- 本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构,并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5...
- 郭宇锋蹇彤徐跃王志功
- 关键词：SOI击穿电压
- 文献传递
- 阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件
- 本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新高压器件结构——阶梯漂移区SOI结构,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5%～10...
- 郭宇锋王志功
- 关键词：SOI击穿电压
- 文献传递
