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西北工业大学基础研究基金(JC201017)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇态密度
  • 1篇解析模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇分析模型
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇表面势

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇赵小如
  • 1篇段利兵
  • 1篇白晓军
  • 1篇张安
  • 1篇赵建林

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型被引量：1
2011年
报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。
张安赵小如段利兵赵建林白晓军
关键词：薄膜晶体管表面势态密度解析模型
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