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Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响被引量：1: 2013年; 通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58%Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5%Sb呈Sb型菱方结构。在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反。原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9%Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制。; 谷立新周夕淋张斌张滔刘显强韩晓东吴良才宋志棠张泽; 关键词：相变材料晶化温度透射电镜

GeSb_2Te_4纳米薄膜的原位透射电子显微学研究被引量：2: 2017年; 相变材料GeSbTe亚稳相中的局域结构长期以来一直是研究的热点,特别是亚稳相中Ge原子的分布对相变过程的进行具有重要作用。本文主要利用透射电子显微学,电子衍射技术和基于电子衍射技术的径向分布函数对不同时效温度时效过程中GeSb_2Te_4亚稳相的原子结构进行了深入研究。通过对径向分布函数的研究表明:250℃时效60min时GeSb_2Te_4亚稳相中几乎所有的Ge原子都位于四面体位置,局域形成类尖晶石结构;而时效温度为150℃、200℃下分别时效60min时发现没有或者几乎没有Ge原子位于四面体位置,时效后的结构以岩盐矿结构为主,部分晶化为六方结构。; 宋建祥朱海音刘显强; 关键词：时效温度电子显微学径向分布函数

GeSb_2Te_4亚稳相原子结构的透射电子显微学研究被引量：1: 2015年; 由于Ge原子在相变过程中的重要作用,使其在Ge Sb Te合金亚稳相中的局域结构长期以来为人们所关注。本文利用电子衍射技术和基于电子衍射的径向分布函数,以及高分辨电子显微学,对Ge Sb2Te4亚稳相的原子结构进行了深入研究。径向分布函数G(r)显示,在Ge Sb2Te4亚稳相中几乎所有的Ge原子都为四面体构型;实验及模拟高分辨像结果表明,由于几乎所有的Ge占据Te四面体的中心,Ge Sb2Te4亚稳相形成了一种类尖晶石结构而非人们广泛接受的岩盐矿结构。; 朱海音宋建祥刘显强; 关键词：亚稳相电子显微学径向分布函数

物理截断与电子局域函数结合法研究非晶态结构中的原子成键被引量：1: 2016年; 本文将常用的键长物理截断方法与电子局域函数方法相结合,用于分析共价系统的非晶态结构,得到了更合理的原子成键信息,提高了非晶态结构模型分析的可靠性.以相变存储材料GeTe合金为例,通过采用上述方法详细研究了GeTe合金非晶态中原子间成键及结构信息,确定了其合理的成键物理截断长度为3.05?,电子局域函数阈值为0.63.研究结果显示,当电子局域函数的数值由0.58逐渐增大至0.63时,结构中所截断的化学键大部分是强度较弱的非同质键(即Ge—Te键),而强度较强的Ge—Ge键的数量几乎不变.对Ge原子配位数和其键角分布等结构信息的分析表明,Ge原子以3配位和4配位为主,其中3配位的Ge原子主要是以缺陷八面体形式存在,而4配位的Ge原子则主要以四面体的形式存在.此外,在本研究工作中所建立的确定成键物理截断长度及电子局域函数阈值的方法也可以应用于其他具有共价键性质的非晶态材料研究.; 王鑫洋陈念科王雪鹏张斌陈志红李贤斌刘显强; 关键词：配位数

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国家自然科学基金(11204008)