上海市教育委员会创新基金(08YZ12)
- 作品数：9 被引量：25H指数：2
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- 相关机构：上海大学武汉理工大学昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究被引量：2
- 2009年
- 在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。
- 何波马忠权赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕吕鹏殷宴庭
- 关键词：氧化铟锡光谱响应
- 离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析被引量：1
- 2009年
- 根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTE离子束刻蚀泊松方程
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)被引量：1
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
- 稀土钇、镧掺杂TiO_2薄膜的拉曼谱分析被引量：2
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了未掺杂、掺杂钇和掺杂镧的TiO2薄膜样品,对样品在700—1100℃范围内进行退火处理,并对样品的拉曼光谱进行了分析.分析表明:随着退火温度的升高,未掺杂TiO2薄膜发生了从锐钛矿相经混相最终向金红石相的转换,掺杂钇和掺杂镧对TiO2薄膜的晶相转换起阻碍作用,掺杂镧的阻碍作用更强;稀土掺杂能使TiO2薄膜晶粒细化,并使晶粒内部应力增大从而阻碍晶格振动,掺杂镧比掺杂钇的效果更明显;样品表现出明显的声子局域效应,即随晶粒尺寸减小,特征拉曼峰位蓝移、半高全宽增大和峰形非对称展宽.
- 杨昌虎马忠权徐飞赵磊李凤何波
- 关键词：TIO2薄膜稀土掺杂
- 基底温度对直流磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响被引量：12
- 2011年
- 采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱仪对AZO陶瓷靶的微结构进行了表征,对在不同基底温度下沉积出来的薄膜运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等分别进行了结构和光电特性的表征。结果表明,随着基底温度的升高,AZO薄膜的晶粒逐渐增大,c轴择优取向加强,结晶状况变好;AZO薄膜的吸收边发生蓝移,折射率降低,而薄膜厚度则有所增加,光学禁带宽度增大;AZO薄膜的电阻率降低,但在基底温度达到350℃后电阻率就趋于稳定。
- 杨昌虎马忠权袁剑辉
- 关键词：AZO薄膜直流磁控溅射光电性能
- 新型SINP硅蓝紫光电池的研究被引量：2
- 2010年
- 本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.
- 何波马忠权徐静赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕殷宴庭
- 关键词：ITO薄膜I-V特性光谱响应
- HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究
- 2009年
- 报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTEX射线光电子能谱表面钝化
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)被引量：2
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
- TiO2薄膜晶相转换的光谱分析被引量：6
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了TiO2薄膜样品,对样品在800-1100℃范围内进行退火处理,并对样品进行了拉曼光谱、透射光谱和荧光发光(PL)光谱测试.拉曼谱测试表明,随退火温度的升高,样品由锐钛矿相经锐钛矿与金红石的混相最终变为金红石相.透射谱测试表明,样品的吸收带边随着样品的相转换而发生红移.在总的趋势上,样品的折射率n随相转换而升高,厚度d和带隙Eg随相转换而降低.荧光发光光谱测试表明,在557-570nm和794-812nm范围内出现了两个发光光谱带.随着相转换,557-570nm范围内的发光光谱强度由强到无,而794-812nm范围内的发光光谱强度由弱到强.
- 杨昌虎马忠权李凤何波袁剑辉张振华
- 关键词：TIO2薄膜光谱溶胶-凝胶退火
