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国家自然科学基金(11204120)

作品数:3 被引量:1H指数:1
相关作者:贺园园赵健伟张晋江更多>>
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相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇电荷分布
  • 1篇电容
  • 1篇电子传递
  • 1篇氧化镍
  • 1篇氢氧化
  • 1篇氢氧化镍
  • 1篇赝电容
  • 1篇吸附能
  • 1篇开关比
  • 1篇光致
  • 1篇光致变色
  • 1篇分子
  • 1篇分子轨道
  • 1篇分子开关
  • 1篇NI
  • 1篇OH
  • 1篇SINGLE...
  • 1篇DENSIT...
  • 1篇HYDROG...

机构

  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇赵健伟
  • 2篇贺园园
  • 1篇张晋江

传媒

  • 1篇电化学
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
First-principles study of hydrogen adsorption on titanium-decorated single-layer and bilayer graphenes
2013年
The adsorption of hydrogen molecules on titanium-decorated(Ti-decorated) single-layer and bilayer graphenes is studied using density functional theory(DFT) with the relativistic effect.Both the local density approximation(LDA) and the generalized gradient approximation(GGA) are used for obtaining the region of the adsorption energy of H2 molecules on Ti-decorated graphene.We find that a graphene layer with titanium(Ti) atoms adsorbed on both sides can store hydrogen up to 9.51 wt% with average adsorption energy in a range from-0.170 eV to-0.518 eV.Based on the adsorption energy criterion,we find that chemisorption is predominant for H2 molecules when the concentration of H2 molecules absorbed is low while physisorption is predominant when the concentration is high.The computation results for the bilayer graphene decorated with Ti atoms show that the lower carbon layer makes no contribution to hydrogen adsorption.
潘洪哲王永龙何开华魏明真欧阳雨陈丽
关键词:GRAPHENETITANIUM
结构转变方式对光致变色分子开关输运性能影响的从头计算研究(英文)被引量:1
2014年
采用密度泛函理论方法系统地研究了由不同结构转变方式引发的一系列光致变色分子在用于分子开关时的电子输运性质.对各种分子结构转变前后的最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)的能级间隙(HLG)、前线轨道的空间分布、电子透射谱和投影电子态密度(PDOS)谱进行了计算和讨论.结果表明,相似的结构转变方式通常造成分子具有相似的电流开关性质,这与分子的共轭程度又有一定的关系.比较各种分子的电流开关比后发现偶氮苯结构单元具有最大的电流开关比.
贺园园赵健伟
关键词:光致变色电子传递分子轨道
石墨烯氧化程度对Ni(OH)_2赝电容性能的影响(英文)
2014年
基于密度泛函理论(DFT)设计了一系列不同氧化程度的还原氧化石墨烯片(rGNOs)并研究了其表面的氧化缺陷与吸附的氢氧化镍(Ni(OH)2)之间的相互作用.结果发现,rGNOs表面的含氧基团与Ni(OH)2之间的吸附能与含氧基团的氧化程度相关.在吸附Ni(OH)2后,rGNOs的原子间距和电荷分布的变化也都受rGNOs表面的含氧缺陷的氧化程度影响.理论计算的结果与实验观察的结果一致并能给出合理的解释.我们用简单的恒电位电化学沉积法有效地在rGNOs表面制备了粒径只有5 nm的Ni(OH)2纳米粒子.在Ni(OH)2/rGNOs制备过程中,氧化石墨烯的电化学还原是关键步骤.Ni(OH)2上吸附的Ni(OH)2因具有更高的吸附能而使其与在镍膜表面直接吸附的Ni(OH)2(在5 mV·s-1下比电容为656 F·g-1)相比具有更高的比电容值(在5 mV·s-1下为1591 F·g-1).rGNOs在吸附Ni(OH)2后构型和电荷分布的变化导致Ni(OH)2具有更低的等效串联电阻和更佳的频率响应.Ni(OH)2/rGNOs优异的赝电容特性表明其有潜力成为新型赝电容器材料.
贺园园张晋江赵健伟
关键词:氢氧化镍电荷分布吸附能赝电容
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