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国家高技术研究发展计划(2006AA03A142): 作品数：6 被引量：5H指数：2; 相关作者：郑有炓张荣谢自力刘斌韩平更多>>; 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自然科学总论更多>>

AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性: 随着三族氮化物(AlN,GaN,InN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用,垂直共振腔结构被用来提高器件的量子效率。高反射率的 GaN 基分布式布拉格反射镜 (Distributed Bragg Reflctors)...; 谢自力张荣江若琏刘斌姬小利龚海梅赵红修向前韩平施毅郑有炓; 文献传递

n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2: 2008年; 系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙,表面位错坑密度增加,表明了晶体质量下降.变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线(n^1/T),拟合得到不同Si掺杂量下,Si杂质在GaN中的电离激活能在12~22meV之间变化,它是施主波函数的相互作用增强所造成.通过研究迁移率随温度(μ~T)的关系曲线,认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响.光致发光谱研究了室温下GaN薄膜带边发光和黄带,发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯效应和能带重整化效应共同作用的结果,并拟合得到了能带收缩效应系数-1.07×10-8eV/cm,指出黄带的产生和变化与不同Si掺杂浓度下Ga空位的浓度相关.; 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 关键词：N型GAN 表面形貌光致发光

InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析: ＜正＞本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描...; 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 文献传递

MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质: 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...; 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓; 文献传递

高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度: InGaN/GaN 多量子阱作为有源层对 LED,LD 等光电子器件的发光效率具有重要意义。作为表征其结构的 X 射线衍射技术具有对样品的非破坏性和快速获得结果的优点值得深入研究。本文应用高分辨 X 射线衍射技术(HRX...; 李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 关键词：射线衍射 INGAN/GAN 多量子阱结构高分辨率; 文献传递

P型AlxGa1-xN(0≤x≤0．31)薄膜光电学性质研究: 本文研究的 AlGaN:Mg(0≤x≤0.31)薄膜采用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长,通过在氮气中非原位退火得到 P 型导通。室温下 Hall 测量显示,P 型载流子浓度从接近10cm (x=0)下降至1...; 刘斌张荣谢自力张曾李亮刘启佳赵红修向前陈鹏陆海顾书林江若琏韩平施毅郑有炓; 关键词：ALGAN CL; 文献传递

MOCVD生长的a面GaN表面形貌和位错的研究: 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上制备了'a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.Omin和1.5min。用SEM对腐蚀前后的表面形貌进行分析,并同LiAlO上的m面GaN和宝石上的c面GaN进行对比...; 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌韩平张荣郑有炓; 关键词：GAN MOCVD; 文献传递

MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质: 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0.7eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物(InN、 GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,I...; 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓; 关键词：INN PL XRD; 文献传递

C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究: 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在AlO（0001）衬底上生长了 InN 薄膜,生长温度从 580℃升高到650℃,同时保持生长腔反应气体的Ⅴ/Ⅲ比不变。利用 X 射线衍射谱（XR...; 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧; 关键词：MOCVD AFM XPS; 文献传递

生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响: ＜正＞利用有机物化学气相沉积外延（MOCVD）的方法在 c 面氮化镓（GaN）支撑层上外延生长铝镓铟氮（AlGaInN）四元合金。高分辨 x 射线衍射（HRXRD）分析表明随着生长温度提高 AlGaInN 的晶体质量提高...; 刘启佳张荣谢自力刘斌徐峰聂超郑有炓; 关键词：MOCVD HRXRD CL; 文献传递

国家高技术研究发展计划(2006AA03A142)