湖北省科技攻关计划(2004AA101C70)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：尚勋忠柴荔英余祖高彭绯蒋红霞更多>>
- 相关机构：湖北大学武汉科技学院更多>>
- 发文基金：湖北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。
- 蒋红霞周桃生彭绯尚勋忠余祖高
- 关键词：压电陶瓷压电介电性能
- 五元系PMMSN压电陶瓷材料及其低温烧结
- 2005年
- 设计并研究了一种新型五元系压电陶瓷材料Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3(PMMSN).以材料的准同型相界附近的组成为研究对象,采用普通合成法、不同合成路径的先驱体法进行材料合成,通过添加低温烧结促进剂实现低温烧结,并研究其对材料性能的影响.结果表明,三组元复合先驱体法合成材料的性能最佳,1100℃烧结样品的性能参数为Qm=1916,kp=0.56,d33=326pC/N,ε33T/ε0=1349,tanδ=0.0043.添加Si O2,CdO可使材料烧结温度降低到850℃～950℃,且基本保持了材料的特性,在低温共烧叠层功率型压电陶瓷器件方面显示出好的应用前景.
- 周桃生李剑魏念胡俊柴荔英
- 关键词：压电陶瓷先驱体法压电性能
- 掺铟对(Bi0．5Na0．5)0．93Ba0．07TiO3压电陶瓷的影响被引量：2
- 2008年
- 采用直接反应烧结法制备掺铟的(Bi0.5Na0.5)0.93Ba0.07TiO3无铅压电陶瓷,研究了铟掺杂对(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3(BNBT)压电陶瓷压电性能、相组成及显微组织的影响。结果表明,添加适量的氧化铟后,该陶瓷仍为纯钙钛矿相结构,其材料组成在准同型相界处三方相减少,四方相增加;适量铟掺杂可抑制晶粒长大,有利于晶粒均匀生长,增大晶粒各向异性。当掺杂氧化铟的质量分数为0.16%时,获得了高的压电参数,其压电常数d33达到205 pC/N,厚度机电耦合系数kt、厚度与径向耦合系数之比kt/kp分别达到0.5、2.77。
- 周桃生黄荣厦尚勋忠顾豪爽郭健勇柴荔英
- 关键词：无铅压电陶瓷
