广东省自然科学基金(05001825)
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 纳米晶Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜的外延生长与介电特性被引量：3
- 2008年
- 用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%.
- 杨中服唐新桂
- 关键词：脉冲激光沉积
- 激光脉冲沉积制备钛酸锶钡薄膜及其介电调协特性
- 2009年
- 在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上，用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的（Ba0.65Sr0．35）TiO3（BsT）薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒，平均晶粒尺寸为50nm。在外加电场254kV／cm时，BST薄膜的相对介电常数与介电调谐率为810和76．3％。高的介电调谐率主要是BST薄膜具有高度a轴取向的柱状生长晶粒，因为来自沿平面c轴极化而产生的内部应力，在电场作用下，获得了高介电调谐率。
- 熊惠芳蒋力立刘秋香
- 关键词：钛酸锶钡薄膜脉冲激光沉积
- PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜被引量：1
- 2007年
- 用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。
- 唐新桂梁建烈农亮勤熊惠芳陈王丽华
- 关键词：无机非金属材料脉冲激光沉积
- 溶胶-凝胶法制备钛酸镧铅薄膜及其介电调谐特性被引量：1
- 2008年
- 在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用溶胶-凝胶法制备出多晶(Pb(1-x)/100Lax/100)Ti(1-x/4)/100O3(x=28,简称PLT28)薄膜。PLT28薄膜的平均晶粒尺寸为25～30nm,薄膜均匀致密。PLT28薄膜在300kV/cm电场作用下,自发极化强度(Ps)、剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为11.9μC/cm2、0.77μC/cm2和8.1kV/cm。在外加电场363kV/cm时,PLT28薄膜的相对介电常数与介电调谐率高达1242%和68.4%。
- 熊惠芳蒋力立唐新桂刘秋香
- 关键词：溶胶-凝胶法铁电存储器
- CaRuO_3电极对(Ba,Sr)TiO_3薄膜的介电特性的影响
- 2007年
- 在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上,用脉冲激光沉积工艺分别制备出了（110）外延取向生长的（Ba0.65Sr0.35）TiO3/CaRuO3（BST/CRO）异质结构薄膜;BST/CRO异质结构薄膜由纳米晶团簇组成,最大的团簇晶粒达500 nm,平均晶粒尺寸在60～80 nm,薄膜厚度为650 nm.BST/CRO异质结薄膜均为表面平滑和致密结构.BST/CRO异质结薄膜的介电常数和介电调谐率分别高达851和78.1%.与纯BST薄膜比较,用CRO作电极,增益介电常数与介电调谐率.
- 熊惠芳唐新桂易双萍范仰才蒋力立陈王丽华
- 关键词：脉冲激光沉积钛酸锶钡薄膜
- (Pb,La)TiO_3/LaNiO_3异质结薄膜的漏电流特征被引量：2
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28mol%,简称PLT)薄膜。经过600℃快速退火,从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜。薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制。这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故。
- 程铁栋唐新桂匡淑娟熊惠芳刘秋香蒋艳平
- 关键词：漏电流
