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利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率被引量：4: 2008年; 计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上。另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。; 胡海洋许兴胜鲁琳宋倩杜伟王春霞陈弘达; 关键词：光子晶体 GAN LED ICP

GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长被引量：2: 2011年; 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.; 王兵李志聪姚然梁萌闫发旺王国宏; 关键词：LED AL组分电子阻挡层

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国家高技术研究发展计划(2006AA03A114)