教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0772)
- 作品数：7 被引量：53H指数：4
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- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 有机发光器件中的塞曼分裂和三重态激子的湮灭被引量：12
- 2009年
- 制备了结构为ITO/α-NPD/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管,并在12,150,200K和室温4种温度下,测量了该器件的电流与电致发光两者的磁场效应.发现在不同温度下,磁场均能显著改变器件的电流和电致发光.在低温(如12～150K)下,电致发光的磁场效应与器件的偏压(对应一定大小的注入电流)有很强的依赖关系,即高偏压时,发光呈现先随磁场增加而快速增强,在50mT处达到最大值后却又随磁场增加而减弱,且偏压越大该减弱越明显,而小偏压时则没有出现饱和之后又衰减的现象.具有相同电流密度的高温(如200K到室温)情况时,各种偏压下也没有发现发光随磁场增加而减弱的趋势.电流的磁效应则在所有温度和所有偏压下都表现为随着磁场增加而增大,并在一定磁场后趋于饱和.此现象可归结为磁场抑制了单重态极化子对到三重态极化子对的系间窜越和磁场减弱了三重态激子对(triplet-triplet pairs)间相互淬灭过程的结果.
- 刘荣雷衍连张勇王振熊祖洪
- 关键词：有机发光二极管磁场效应
- DCM染料掺杂对有机电致发光磁效应的影响被引量：6
- 2009年
- 制备了DCM染料掺杂的有机电致发光器件ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al,研究了15K^R.T.(室温)温度范围内,器件的电致发光随磁场的变化关系(即电致发光的磁效应).发现电致发光的磁效应由低场(0≤B≤40mT)效应和高场(B≥40mT)效应两部分组成.室温下,对于未掺杂的参考器件,发光在低场部分随磁场的增加迅速增强,高场部分随磁场的增加缓慢并逐渐趋于饱和.而对于掺杂器件,尽管发光在低场部分随磁场也迅速增强,但高场部分却在低场增加的基础上出现下降.器件的注入电流越大,发光在高场下降越明显.低温下(T≤150K),尽管未掺杂器件电致发光的磁效应的高场部分也出现减弱趋势,但掺杂样品的高场部分受温度的影响要远弱于未掺杂样品的结果.基于掺杂引起的能级陷阱效应,通过讨论外磁场作用下的三重态激子淬灭过程,我们对实验结果进行了定性解释.
- 陈平雷衍连刘荣张巧明张勇熊祖洪
- 关键词：染料掺杂
- 电化学制备薄黑硅抗反射膜被引量：16
- 2008年
- 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.
- 刘光友谭兴文姚金才王振熊祖洪
- 关键词：折射率抗反射膜
- 磁场对聚合物光电池中电流的影响被引量：4
- 2009年
- 制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Ca/Al的聚合物光电池器件,并在不同偏压下,分别测量了器件的光电流和暗电流随外加磁场的变化.发现随外加磁场增加,光电流增强,暗电流减弱.从聚合物光电池中光电流和暗电流的产生机制出发,对该现象进行了解释,认为外加磁场可以有效改变单重态极化子对和三重态极化子对之间的相对比例,进而使自由载流子浓度增加.光生自由载流子浓度增加是光生电流增强的原因,而自由载流子与三重态激子的相互作用导致了暗电流减弱.开路电压附近,光电流随磁场增加而增强可以近似认为是以上两个效应的综合.
- 雷衍连刘荣张勇谭兴文熊祖洪
- 关键词：磁场效应
- 矫顽力可调的多孔硅基Fe膜被引量：2
- 2006年
- 采用电化学腐蚀法制备了不同多孔度的多孔硅(PS),再通过磁控溅射法在该PS衬底上沉积了一定厚度的Fe膜;并对样品进行了X射线衍射的结构分析、扫描隧道显微技术的表面形貌观察和磁光克尔效应的测量.发现在同一Fe膜厚度下,相对于参考样品硅上的Fe膜,多孔硅上Fe膜的矫顽力更大;同时观察到多孔硅基Fe膜随着PS多孔度的增加,矫顽力相应变大;而对于多孔度相同的多孔硅基样品,随着Fe膜厚度的增加矫顽力却逐步减小.得出了多孔硅特有的海绵状疏松结构能有效调节Fe膜矫顽力大小的结论.
- 邱学军张云鹏何正红白浪刘国磊王跃陈鹏熊祖洪
- 关键词：多孔硅矫顽力
- 磁场对有机电致发光的影响被引量：17
- 2007年
- 制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq3/LiF/Al,测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1T范围内的磁场对发光层Alq3的光致发光没有影响,但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应,且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系:在小偏压时,随着磁场的增加MEL是单调递增,且在大小约为40kA/m的磁场下达到饱和,之后即使磁场增大到约1T的情况下也没有变化;但当偏压变大时,MEL则呈现先增加,在40kA/m处达到峰值后却又减弱,而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释,即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理.
- 王振何正红谭兴文陶敏龙李国庆熊祖洪
- 关键词：有机发光磁场效应
- 有机吸附物对多孔硅微腔发光的影响被引量：4
- 2008年
- 理论上,采用Bruggeman有效介质近似,研究了有机吸附物对多孔硅微腔的折射率及其光致发光谱的影响.实验上,采用计算机控制的电化学腐蚀法制备了多孔硅微腔样品,并利用机械泵油的蒸气分子与该微腔样品进行相互作用.研究发现,多孔硅微腔发射的窄化光致发光谱对泵油蒸气分子的吸附与脱附很敏感,与之伴随的是该窄化光致发光谱发生明显的峰位移动(可达71 nm)和强度变化.结合Bruggeman近似和表面态对多孔硅发光的影响,对实验结果进行了定性解释.实验结果与理论模拟结果符合较好.
- 刘光友谭兴文王振姚金才熊祖洪
- 关键词：多孔硅微腔光致发光谱
