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超高速专用集成电路重点实验室基金(514320104Jw1401)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王伟田国平郭维廉牛萍娟商跃辉更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司天津工业大学更多>>
发文基金：超高速专用集成电路重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇直流参数
  • 1篇隧穿
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇RTD
  • 1篇材料结构

机构

  • 1篇天津工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇于欣
  • 1篇冯震
  • 1篇苗长云
  • 1篇商跃辉
  • 1篇牛萍娟
  • 1篇郭维廉
  • 1篇田国平
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系被引量：1
2008年
为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。
郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟商跃辉冯震田国平
关键词：共振隧穿二极管材料结构
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