国家自然科学基金(10375043)
- 作品数：6 被引量：15H指数：3
- 相关作者：王柱赵有文陈志权李辉俞慧友更多>>
- 相关机构：武汉大学中国科学院日本原子力研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金更多>>
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- CDB的源修正
- 我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合...
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- 文献传递
- 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷被引量：3
- 2004年
- 用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24,0.42,0.54和0.64eV4个缺陷,退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64eV两个缺陷,有的只有0.13eV一个缺陷.根据这些结果,讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理.
- 董志远赵有文曾一平段满龙李晋闽
- 关键词：磷化铟深能级缺陷半导体材料深能级瞬态谱
- 正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷被引量：3
- 2010年
- 用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaSb的光致发光谱,发现GaSb中的Zn没有与辐照缺陷相互关联.质子辐照在样品中产生了非辐射复合中心.这种非辐射复合中心很可能是双空位和小空位团.利用光致发光谱推算了受主杂质Zn在GaSb中的能级位置.在经过质子辐照后的样品中发现了氢的存在,氢充当了浅受主杂质.通过退火实验观察到了样品中空位型缺陷的迁移合并和分解,发现氢原子加强了缺陷的移动能力.
- 周凯李辉王柱
- 关键词：GASB正电子湮没光致发光谱
- KdV孤子的含时微扰理论被引量：3
- 2008年
- 研究了周期性含时微扰对KdV(KortewegdeVries)孤子的影响.将微扰项展为时间变量的傅里叶级数,发现其常数项是导致长期项的根源.在一阶近似下,消除长期项,求出了孤子参数(高度、宽度和速度)随时间的缓慢变化.傅氏级数中的其他项决定了微扰对孤子波形的一阶修正.
- 潘留仙俞慧友颜家壬
- 关键词：傅里叶级数
- 符合多普勒展宽谱的源修正研究
- 2005年
- 测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷被引量：2
- 2006年
- 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.
- 邵云东王柱赵有文唐方圆
- 关键词：GASB正电子湮没电子辐照
- He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究被引量：4
- 2006年
- 在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×1015cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷.结果表明,He离子注入ZnO产生了双空位或更大的空位团.在400℃以下退火后,He开始填充到这些空位团里面,造成空位团的有效体积减少.经过400℃以上升温退火后,这些空位团的尺寸开始增大,但由于有少量的He仍然占据在空位团内,因此直到800℃这些空位团仍保持稳定.高于800℃退火后,由于He的脱附,留下的空位团很快回复,在1000℃下得到完全消除.
- 陈志权河裾厚男
- 关键词：慢正电子束ZNO离子注入
