国家高技术研究发展计划(2004AA303560)
- 作品数：9 被引量：33H指数：4
- 相关作者：荆海付国柱邵喜斌马凯廖燕平更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林北方彩晶数码电子有限公司吉林大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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- 用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜被引量：4
- 2005年
- 提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
- 廖燕平邵喜斌吴渊骆文生付国柱荆海马凯
- 关键词：多晶硅薄膜
- a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善被引量：4
- 2007年
- 第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。
- 杨澍荆海付国柱马凯
- 关键词：电泳显示器漏电流SPICE模拟
- ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能被引量：4
- 2007年
- 以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27～3.52eV。
- 侯旭峰荆海张会平
- 关键词：ZNO电沉积光致发光
- a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计被引量：4
- 2006年
- 分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。
- 刘金娥廖燕平荆海张志伟付国柱邵喜斌
- 关键词：阈值电压漂移电荷注入亚稳态
- 彩色AMOLED驱动控制系统设计被引量：4
- 2007年
- 驱动控制电路是展示显示屏优良特性的重要部分,可编程逻辑器件FPGA具有功能灵活性,适合于高性能的视频和图像应用。文章利用液晶驱动芯片,模拟视频解码芯片和Altera公司的低成本CycloneFPGA器件,设计了一种新的针对13.2cm(5.2in)(320×3×240)彩色有源OLED屏的视频显示驱动控制系统,可以实现各子像素64级灰度显示。详细介绍了系统组成和FPGA各逻辑模块工作原理,并在QuartusⅡ软件开发环境下对各模块进行设计和仿真,仿真结果表明该系统可以实现彩色AMOLED屏的驱动控制。由于FPGA的可编程特性,可方便地设计用于更高分辨率显示屏的驱动控制电路。该系统可作为一种测试OLED显示屏特性的平台。
- 李文明荆海马凯
- 关键词：有源OLED视频解码现场可编程门阵列驱动控制
- 基于FPGA的AMOLED驱动控制系统设计被引量：2
- 2007年
- 根据有机电致发光显示器件的显示原理,选用NEC公司的液晶驱动芯片并适当运用,利用视频解码芯片SAA7113H和Altera公司的低成本Cyclone FPGA器件,设计出一种驱动5.2in(320×3×240)彩色有源OLED视频显示的新方案,此方案可以实现各子像素64级灰度显示。本文详细介绍了系统组成结构和各部分的工作原理。在QuartusII软件开发环境下对FPGA内部各模块进行设计和仿真,并验证了方案的可行性。利用可编程逻辑器件FPGA的可编程特性,可以方便地设计出更高分辨率显示屏的驱动控制电路。该系统可作为一种测试OLED显示屏特性的平台。
- 李文明荆海马凯
- 关键词：有源OLED视频解码可编程逻辑器件
- a-Si∶H TFT亚阈值区SPICE模型的研究被引量：2
- 2005年
- 研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶HTFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。
- 邵喜斌王丽娟李梅
- 关键词：TFTSPICE模型
- 高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究被引量：6
- 2007年
- 利用电化学沉积法,以65±1℃的0.1mol/LZn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显。利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱。透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%～90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5eV左右,且在阴极电势为-2.5V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小。
- 侯旭峰荆海谷长栋张会平
- 关键词：ZNO薄膜电化学沉积禁带宽度
- 驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作被引量：5
- 2006年
- a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。
- 刘金娥廖燕平齐小薇高文涛荆海付国柱李世伟邵喜斌
- 关键词：阈值电压漂移C-VTFT
