国家高技术研究发展计划(2004AA303542)
- 作品数：8 被引量：34H指数：4
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- 相关领域：一般工业技术冶金工程电气工程电子电信更多>>
- 降温速率对ITO靶材相组成的影响被引量：4
- 2007年
- 对400,500,600,700,800,900,1000℃温度下煅烧制得的氧化铟锡（ITO）粉体进行X射线衍射分析,利用Vegard定律分析得到的衍射数据计算出靶材的晶格常数和氧化锡在ITO靶材中的固溶度,得出ITO靶材中氧化锡的固溶度大小主要与温度有关,氧化锡相在靶材中的固溶度随着温度的升高而增大的结论。靶材热压烧结降温时,保持120-150℃·h^-1的降温速率可以得到纯度为99.995%,相对密度为99.274%的氧化铟单相ITO靶材。
- 李亚静刘家祥
- 关键词：ITO靶材固溶度相组成
- 胶体法制备透明导电ITO薄膜被引量：4
- 2005年
- 以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm^15nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm^800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258?/□,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。
- 刘家祥甘勇朴圣洁
- 关键词：ITO微结构
- 分散剂对ITO前驱物浆料稳定性的影响被引量：4
- 2009年
- 以金属铟和结晶四氯化锡为原料，通过加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料。利用沉降实验、Zeta电位、透射电镜研究了分散剂对浆料稳定性的影响。通过考察不同pH值条件下，分散剂的种类及用量对ITO浆料稳定性的作用，探究其分散机理。结果表明，在ITO前驱物浆料中加入离子型分散剂乙醇胺，通过乙酸调节pH值，可使颗粒间具有较高静电效应，在此基础上加入高分子表面活性剂（PEG、PVP），使得颗粒间又具有空间位阻效应。从而防止了颗粒间的团聚，可得到高度分散的浆料。前驱物浆料颗粒粒度主要分布在10～20nm之间。结果表明，最优的分散剂用量为：PEG10％（质量分数，下同），PVP10％和乙醇胺2．5％。
- 张楠刘家祥吴妲
- 关键词：分散剂稳定性ZETA电位PH值
- 分散剂PEG对ITO前驱物浆料稳定性能的影响被引量：6
- 2007年
- 以金属铟和结晶四氯化锡为原料,加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料。利用Zeta电位、扫描电镜、沉降试验研究了分散剂PEG对浆料稳定性能的影响。结果表明,分散剂PEG与ITO前驱物氢氧化物胶粒表面建立了较强的氢键,通过空间位阻稳定作用提高了浆料的稳定性;PEG的加入可使浆料中固体颗粒分散均匀,颗粒粒度主要分布在50～100nm之间;沉降试验和粘度的测定表明,浆料pH值在8.0,分散剂PEG用量在1.0%～2.0%(质量分数,下同),粘度在2.1～2.6mPa.s时,在沉降120h后的浆料中,固体颗粒沉降体积百分比在10%以内,能够保证浆料的相对稳定。
- 朴圣洁刘家祥曾胜男
- 关键词：分散剂粘度
- 纳米级氧化铟锡复合粉体的制备及其性能被引量：2
- 2006年
- 采用化学共沉淀法制备纳米级氧化铟锡复合粉体前驱物,煅烧得到纳米级氧化铟锡(ITO)复合粉体,用TG-DTA,XRD,TEM,ICP-AES,XRF和BET研究了纳米级ITO复合粉体的性能。前驱物铟锡氢氧化物的分解温度为291.5℃,300℃下烧结即可得到立方结构的ITO结晶粉体,Sn嵌入到In2O3晶格中,形成单相的ITO固溶体颗粒。随着温度的升高,ITO固溶体颗粒结晶更完全,晶粒长大。前驱物铟锡氢氧化物分别在600℃,800℃和900℃煅烧4h得到粒度均匀、分散性好、粒径为20nm^30nm的类球形ITO复合粉体。600℃煅烧得到的ITO复合粉体的纯度为99.995%,配比为In2O3:90.045%,SnO2:9.955%,比表面积为50.88m2/g。该粉体烧结活性高,将该粉体用简单的烧结工艺在1000℃烧制的ITO靶材相对理论密度达到99.25%。
- 刘家祥李敏甘勇王海宁
- 关键词：纳米粉体氧化铟锡
- 成形工艺对烧结法制备ITO靶材的影响被引量：10
- 2010年
- 以平均粒径为30nm的ITO粉体为原料，添加少量聚乙烯醇（PVA）造粒，模压成形获得素坯，在氧气氛、1550℃烧结素坯制备IT0靶材。采用100～600MPa的成形压力，添加0．5％，1．0％，2．5％的PVA制备靶材，研究压力和PVA添加量对靶材制备的影响。结果表明，成形压力在100～500MPa内，素坯及靶材密度随压力升高而增大，500MPa时达到最大值，分别为47．5％和99．16％。600MPa时素坯和靶材密度略微降低。成形压力越高，摩擦导致的压力损失越大，素坯脱模越困难。增大PVA添加量，素坯更易脱模，且坯体内密度分布更均一。添加1．0％的PVA时获得的素坯及靶材密度最高，分别为45，21％和98，45％。得出素坯的较佳制备条件为成型压力400MPa，PVA添加1．0％。
- 王玥刘家祥刘宸
- 关键词：粉末冶金ITO靶材素坯PVA
- 锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响被引量：5
- 2008年
- 以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟（ITO）前驱物浆料，通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5％～20％（质量分数，下同）对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜，样品的光电性能，并对其进行X射线衍射分析。结果表明：当Sn掺杂量为10％时薄膜的方电阻最小，为153Ω／□，不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构；薄膜在可见光区平均透过率≥82％。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析，研究了ITO薄膜的结构特性，并讨论了薄膜的导电机制。结果表明：胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明，薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁，且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势，在Sn掺杂量为15％时为最大值3．65eV。
- 张楠刘家祥曾胜男
- 关键词：ITO薄膜掺杂导电机制
- 升温速率对烧结ITO靶材密度和组织的影响被引量：4
- 2013年
- 采用化学共沉淀法制备ITO粉体前驱物,在600℃煅烧粉体前驱物4h,得到粒径为20~30nm的ITO粉体。添加1%的聚乙烯醇（PVA）造粒,模压成型制备ITO靶材素坯,设置不同的升温速率,在1550℃氧气氛下烧结素坯,得到ITO靶材。研究了烧结过程升温速率对ITO靶材密度和微观组织的影响。结果表明,在低温阶段（0~500℃）升温速率为3℃/min,高温阶段（500~1550℃）升温速率为8℃/min时,ITO靶材相对密度为99.58%,孔洞极少,近乎完全致密,且靶材宏观上无裂纹。
- 程念刘家祥
- 关键词：ITO靶材升温速率烧结法相对密度微观结构
