国家教育部博士点基金(2010531420002)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 工艺参数对EB-PVD制备YSZ涂层的影响
- 2013年
- 为探讨电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备8 mol.%氧化钇稳定氧化锆(8YSZ)涂层过程中工艺参数对涂层致密性、表面粗糙度和晶粒择优取向生长的影响,利用扫描电镜、原子力显微镜和X射线衍射技术对涂层的上述性能进行了分析.分析结果表明,随沉积速率由750 nm/min下降至20 nm/min,YSZ涂层的晶粒逐渐聚合长大,晶粒之间的孔隙减少,涂层的气体扩散系数相应地由2.41×10-4cm4/(N·s)下降至6.56×10-5cm4/(N·s).YSZ涂层的表面粗糙度随靶基距的提高逐渐降低,涂层的晶体学取向随蒸汽粒子入射角的改变而改变,入射角为30°时(111)晶面具有平行于涂层表面排列的趋势,入射角为45°时(311)和(420)晶面具有平行于表面排列的趋势,而入射角为60°时(220)和(331)晶面具有平行于表面排列的趋势.
- 孟彬杨青青孙跃赫晓东
- 关键词：电子束物理气相沉积工艺参数致密性
- 溶胶浸渗处理对EB-PVD制备的YSZ电解质涂层的影响
- 2012年
- 为探索溶胶浸渗处理对电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备8%摩尔比的氧化钇稳定氧化锆(8YSZ)涂层微观结构及性能的影响,采用EB-PVD工艺在沉积速率1μm/min的条件下制备了8YSZ电解质涂层.制备态涂层的断面表现为疏松的柱状晶结构,导致涂层的气密性差,因此对涂层进行了溶胶浸渗处理,即首先在负压下将涂层浸渗在钇锆的溶胶内,再进行550℃保温2 h的热处理.SEM分析表明,溶胶分解产物可以堵塞柱状晶间的孔隙,其渗入涂层的深度可达3μm.浸渗处理后,涂层的气体扩散系数由未处理态的6.78×10-5cm4/(N.s)降低至8次浸渗处理后的6.54×10-6cm4/(N.s).8次溶胶浸渗处理后涂层的电导率相比处理前提高不超过10%.
- 孟彬杨青青孙跃赫晓东
- 关键词：电子束物理气相沉积电导率
