国家自然科学基金(61106097)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：李向阳马丁张燕刘福浩许金通更多>>
- 相关机构：中国科学院大学中国科学院更多>>
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- 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性被引量：2
- 2016年
- 利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象,等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对这些异常现象进行了分析,认为是刻蚀时等离子体气氛中的紫外线对作为掩模的光刻胶进行了曝光作用而释放出一定量的氮气,从而在光刻胶内外形成了压强差而使光刻胶局部表面产生微凸起;当光刻胶的强度无法阻止内部氮气的膨胀时,则会发生类似爆炸的效果,在光刻胶表面形成孔洞状缺陷,导致掩模保护作用的失效。
- 乔辉刘诗嘉刘向阳朱龙源兰添翼赵水平王妮丽李向阳
- 关键词：刻蚀干法刻蚀光刻胶感应耦合等离子体
- 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面
- 2018年
- 带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料，AIGaN基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器，其光谱响应范围为345～363．5nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能，使用单色仪对该器件进行了光谱扫描，扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示，该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能，在300～1160nm光谱范围内，光谱带外响应比率仅为1．14％。
- 马丁许金通许金通刘福浩张燕
- 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面(英文)
- 2018年
- 带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料,Al Ga N基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器,其光谱响应范围为345~363.5 nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能,使用单色仪对该器件进行了光谱扫描,扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示,该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能,在300~1 160 nm光谱范围内,光谱带外响应比率仅为1.14%。
- 马丁许金通许金通刘福浩张燕
