国家自然科学基金(10175042)
- 作品数：25 被引量：56H指数：5
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- 相关机构：电子科技大学四川大学中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学核科学技术更多>>
- 电子辐照CuZnAl形状记忆合金马氏体稳定化的研究被引量：1
- 2002年
- 用能量 1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品 ,通过循环水冷的方法 ,将辐照控制在马氏体相进行 .实验结果表明 ,样品被辐照处理后 ,其马氏体相变温度和相变滞后 ,以及相变特征温度T0 都随辐照注量的增大而升高 ;当辐照注量在 6 .30× 10 2 0 m- 2 ～ 1.89×10 2 1m- 2 时 ,其相变温度变化渐趋平缓 .作者认为 ,这是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变 。
- 祖小涛刘丽娟封向东林理彬戴晶怡傅平霍永忠
- 关键词：电子辐照形状记忆合金点缺陷马氏体相变马氏体稳定化
- PbMoO_4晶体光学性质的第一性原理研究
- 2010年
- 基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)下的平面波超软赝势法,计算了PbMoO_4晶体的电子结构和光学性质。结果表明,介电函数的虚部与光电导的实部、复数折射率、光吸收谱的峰值位置有着一一对应的关系,并且可以从电子态密度图中的价带和导带间的电子跃迁得到合理解释。
- 郭志成董会宁邓博李登峰
- 关键词：密度泛函理论
- N^+离子注入TiNi形状记忆合金的微观表面分析被引量：3
- 2003年
- 对TiNi形状记忆合金N+离子注入后进行了XRD分析以及XPS分析。N+离子注入的能量为75keV,束流为16.3μA/cm2,注量分别为3×1017N+cm-2和8×1017N+cm-2,注入过程中温度低于200℃。XRD和XPS分析结果都表明:N+离子注入试样后以TiN的形式存在;且由于离子注入时的真空度较低,在注入层的表面也形成了少量的TiO2;由于Ni的溅射系数比Ti的大,在试样XPS宽程扫描图中,没有出现Ni的信号。
- 封向东王治国祖小涛戴晶怡
- 关键词：离子注入TINI形状记忆合金XRDXPS
- 辐照诱发中间相Zr(Cr,Fe)_2非晶化的原位电子显微研究被引量：7
- 2003年
- 在美国Argonne国家实验室连接有IVEM TandemNationalFacility加速器的Hitatch3000电子显微镜上,通过能量600keV及注量率为2.5×1012cm-2·s-1的Ne离子原位辐照,研究了锆 4合金中沉淀相hcp Zr(Cr,Fe)2的重离子辐照效应,结果表明:600keV的Ne离子在350℃原位辐照至0.2dpa时,hcp Zr(Cr,Fe)2沉淀相的层错条纹开始消失;0.8dpa时沉淀相的电子衍射斑点大部分消失,发生明显的化学无序;2 7dpa时明场像衬度完全消失,非晶环已非常明显,表明沉淀相已经非晶化。600keV的Ne离子在350℃辐照hcp Zr(Cr,Fe)2相非晶化的临界损伤离位率约为2.7dpa。
- 祖小涛张传飞向霞吴继红赵文金王鲁闽
- 关键词：ZR非晶化重离子辐照沉淀相辐照损伤
- Xe^+离子注入对单晶YSZ光学性能影响的研究
- 2003年
- 单晶YSZ(ytttia stabilizedcubiczirconia)在注入能量为200keV的Xe+离子后由无色透明变成紫色透明,吸收光谱测试表明,当注量达到1×1016cm-2时,开始出现吸收峰,并且吸收强度随注量增加而增大。对注量为1×1016cm-2和1×1017cm-2的样品,吸收带峰值分别位于522nm和497nm。吸收带可能与氧空位捕获电子形成的F型色心和氧离子捕获空位形成的V型色心有关。注入注量为1×1016cm-2样品的荧光测试表明,荧光光谱均为400～600nm范围内的宽发射带。注入注量为1×1017cm-2的样品没有荧光现象产生,可能是由于辐照损伤严重,缺陷浓度增大所致。
- 向霞祖小涛王治国朱莎曾光廷霍永忠王鲁闵
- 关键词：光学性能离子注入吸收光谱荧光光谱
- TiNiCu形状记忆合金双向记忆效应研究被引量：4
- 2003年
- 研究了热机械训练温度及定型处理温度对TiNiCu形状记忆合金弹簧双向记忆效应的影响。研究结果表明:在纯马氏体状态进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数的增加而增加,并在一定的训练次数后达到饱和;在纯奥氏体状态进行训练,双向记忆恢复率随训练次数迅速增加到某一最大值后随训练次数的增加而减小;在马氏体和奥氏体混合相进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数先增加而后减小。经过400～550℃×1h/AC定型处理及热机械训练后最大形状记忆恢复率随定型处理温度升高先增大然后减小。由于马氏体再取向时引入的位错有利于双向记忆效应,热诱发和应力诱发的马氏体变体数量不同,引起了在不同状态训练诱发的双向记忆效应随训练次数变化的差异。
- 王治国祖小涛傅平戴晶怡封向东
- 关键词：TINICU形状记忆合金弹簧
- 硫钝化GaP(001)表面的结构及电学性质研究
- 2008年
- 基于第一性原理的密度泛函理论,分析了覆盖度为1 ML(monolayer)的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP(001)(1×2)表面的结构和电学属性。能量计算表明,最稳定的吸附模型均是SHB+ST4,镓和磷二聚物都被断开,周期单元由(1×2)变成(1×1),硫原子吸附在桥位置,Ga-S键比P-S键更稳定。电学性质分析可知,硫吸附在镓截止GaP表面后能隙中的表面态大幅度减少,而吸附在磷截止的表面时表面态并没有减少且在0.74 eV处多了一个新峰,硫吸附在镓截止表面后的态密度分布与实验结果吻合很好。因此,1 ML的硫吸附在GaP(001)面时表面上最主要形成Ga-S键。
- 李登峰雷跃荣肖海燕祖小涛董会宁
- 关键词：密度泛函理论磷化镓态密度
- TiNiCu形状记忆合金热机械训练诱发双向记忆效应的DSC曲线特征被引量：2
- 2004年
- 利用示差扫描量热法(DSC)研究了TiNiCu双向记忆弹簧训练过程中热机械训练及退火对合金相变特征的影响。结果表明,训练前升温时,DSC曲线表现出的吸热峰由多个小峰组成,随着训练次数的增加,峰的个数减少,具有稳定双向记忆效应的试样中,升温时只出现一个锐利的峰。这是因为在训练过程中引入特定取向的位错,产生一定的应力场,使得马氏体变体的取向比较一致,相变点基本相同所致。由于位错的引入,引起相变点As和Af下降。训练不同次数的样品400℃退火后,由多个小峰组成的吸热峰合并为一个峰,这是由退火导致热机械训练诱发特定取向的位错恢复引起的。
- 王治国祖小涛封向东邓炯戴晶怡傅平
- 关键词：位错形状记忆合金相变点马氏体
- 2MeV质子辐照对Zr-4合金显微组织的影响被引量：4
- 2004年
- 通过密西根大学离子束表面改性和分析实验室的大束流加速器研究了Zr-4合金的质子辐照效应。结果表明:当原子离位损伤率约1×10-5 dpa/s,在350癈 质子辐照损伤分别达到2dpa、5dpa和7dpa时,辐照后位错环的密度分别为7×1021/m3、8×1021/m3、15×1021/m3,尺寸分别为7nm、11nm和11nm,表明位错环的密度和尺寸随质子辐照注量有增加的趋势。辐照前后的明场像、高分辨相和电子衍射花样均表明,在350癈 2MeV的质子辐照没有使锆4合金中的hcp-Zr(Cr,Fe)2和fcc-ZrFe2沉淀相发生非晶化转变。
- 祖小涛朱莎王鲁闵尤利平万发荣
- 关键词：ZR-4合金位错环透射电镜显微组织
- 离子注入诱发YSZ相变和Pyrochlore纳米晶的电子显微研究
- 2003年
- 通过剖面电子显微技术研究了离子注入在单晶YSZ中诱发生成Pyrochlore纳米晶(约10nm),并使萤石结构的YSZ局部相变为焦绿石结构。在YSZ单晶中注入180keVTi+离子,注入温度为常温,Ti+注量为1×1017ions/cm2,随后在1100℃的氩气中退火2h。电子显微研究表明,Y(钇)稳定的立方ZrO2转变成为点阵常数a≈(1.024±0.005)nm的焦绿石结构A2B2O7(Y2(TixZr1-x)2O7)。生成的Y2(TixZr1-x)2O7与母相保持共格,有[110]YSZ∥[110]P和(11-1)YSZ∥(11-1)P的取向关系。阳离子有序和化学成分的重新分布被认为是这种相变发生的机理。
- 祖小涛朱莎王鲁闵
- 关键词：快离子导体离子注入纳米晶电子显微技术
