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国家自然科学基金(90201038)

作品数：36 被引量：321H指数：10
相关作者：叶志镇赵炳辉傅竹西朱丽萍林碧霞更多>>
相关机构：浙江大学中国科学技术大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 36篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 15篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 1篇生物学

主题

  • 13篇ZNO薄膜
  • 11篇ZNO
  • 7篇P型
  • 5篇直流反应磁控...
  • 5篇溅射
  • 5篇反应磁控溅射
  • 5篇半导体
  • 5篇掺杂
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇氧化锌薄膜
  • 4篇退火
  • 4篇光谱
  • 4篇发光
  • 4篇半导体材料
  • 4篇P型ZNO
  • 4篇P型ZNO薄...
  • 3篇异质结
  • 3篇载流子
  • 3篇溶胶

机构

  • 23篇浙江大学
  • 12篇中国科学技术...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇浙江机电职业...

作者

  • 20篇叶志镇
  • 15篇赵炳辉
  • 13篇傅竹西
  • 12篇林碧霞
  • 12篇朱丽萍
  • 9篇黄靖云
  • 7篇袁国栋
  • 6篇吕建国
  • 5篇季振国
  • 5篇曾昱嘉
  • 5篇刘磁辉
  • 5篇朱俊杰
  • 4篇徐伟中
  • 3篇诸葛飞
  • 3篇宋永梁
  • 3篇段理
  • 3篇向因
  • 3篇钱庆
  • 3篇谢家纯
  • 2篇张银珠

传媒

  • 13篇Journa...
  • 6篇发光学报
  • 5篇真空科学与技...
  • 3篇材料科学与工...
  • 2篇物理学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇物理
  • 1篇材料导报
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇全国第三届溶...

年份

  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 10篇2005
  • 18篇2004
  • 4篇2003
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)被引量：5
2004年
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。
叶志镇李蓓黄靖云袁国栋赵炳辉
关键词：ZNO薄膜
SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
2005年
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：6
2004年
本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
ZnO∶Al/p-Si的接触特性被引量：1
2005年
利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利.
刘磁辉段理林碧霞刘秉策雷欢蔡俊江傅竹西
关键词：界面态
溶胶-凝胶提拉法制备ZnO薄膜及其性能研究被引量：12
2004年
采用溶胶 凝胶提拉法在石英玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴择优取向生长。透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3 2 8eV ,与ZnO体材料的禁带宽度 3 30eV基本相同。用荧光光谱分析了经过 4 0 0～ 6 0 0℃热处理获得的ZnO薄膜 ,结果表明ZnO薄膜在室温下可获得较强的紫外带边发射。适当选择热处理温度可以获得无可见波段发射的ZnO薄膜。
宋永梁季振国王泉香向因叶志镇
关键词：ZNO薄膜荧光光谱透射光谱半导体材料
LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响被引量：19
2005年
利用低压金属有机化学气相淀积(LP MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜的结晶状况有着重要的影响,使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力,减小缺陷浓度,提高ZnO外延层的质量;然后根据缺陷的形成机制进一步提出,对于ZnO Si,其中较大的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成,使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大降低;对于ZnO SiC Si,其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷OZn,从而使发光中的绿峰增强.
孙贤开林碧霞朱俊杰张杨傅竹西
关键词：氧化锌薄膜拉曼光谱
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：15
2005年
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭
关键词：ZNOLEDP型掺杂金属有机化学气相沉积
N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性被引量：16
2005年
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.
吕建国叶志镇诸葛飞曾昱嘉赵炳辉朱丽萍
关键词：直流反应磁控溅射
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
2007年
通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC (100)薄膜。SiC (200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向。典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错。表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变。
郑海务郭凤丽苏剑峰顾玉宗张华荣傅竹西
关键词：微结构表面形貌
ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法被引量：6
2004年
论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能。
曾昱嘉叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉朱丽萍
关键词：ZNO薄膜氧化锌载流子迁移率半导体
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