国家高技术研究发展计划(SQ2008AA03Z4471960)
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 相关作者：傅邱云龚树萍姜胜林孔明日涂文芳更多>>
- 相关机构：华中科技大学湖北大学金策工业综合大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划武汉市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 还原再氧化工艺下BaTiO_3基PTCR元件的密度与其电性能
- 2011年
- 通过固相法制备出正温度系数热敏电阻(PTCR)传感器,并且通过烧结过程控制瓷体密度。还原气氛中烧结的瓷片的电阻率随着密度的升高呈现逐渐降低的趋势,而再氧化后的瓷片的PTC效应随着密度的升高也呈现逐渐降低的趋势。含有内电极的电阻元件,相对于不含内电极的瓷片,电阻率有所升高,PTC效应有所降低,且密度越低,含有内电极的元件相对于不含内电极的瓷片的电性能变化更明显。相对密度在75%～83%之间的瓷片,在空气中650℃再氧化1h后,其电阻率为60～120Ω.cm,PTC效应为2.0～2.3个数量级,同一条件下的含有单对Ni电极的元件,其电阻率在200Ω.cm以下,PTC效应可达1.5个数量级。
- 胡云香赵程程傅邱云龚树萍周东祥
- 关键词：PTC效应
- 还原再氧化工艺烧结温度对PTCR热敏材料性能的影响
- 2011年
- 针对片式正温度系数热敏电阻（PTCR）传感器的还原再氧化制备工艺,研究了还原性气氛下烧结温度对热敏材料性能的影响。结果表明烧结温度在1 215-1 295℃范围内的还原气氛下烧结,瓷体均可半导化,瓷体的平均晶粒尺寸随烧结温度升高而增大,增大趋势由缓慢到逐步加快。再氧化处理前瓷体电阻率均小于10Ω.cm.再氧化后,瓷体的电阻率和升阻比都呈现出了不同程度的增长,增长幅度随烧结温度的升高而降低。此外,提高再氧化温度可提高升阻比同时会使瓷体电阻率增大。
- 傅邱云张波赵程程龚树萍周东祥
- 关键词：热敏电阻PTCR烧结温度
- BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂中SiO_2对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了氧化钡-氧化硼-氧化硅(BaO-B2O3-SiO2)玻璃助剂对Y掺杂BaTiO3陶瓷微观结构和PTCR特性的影响。微观结构分析表明,玻璃助剂中SiO2的含量能改变晶界相组成,影响样品的烧结特性和室温电阻率。实验结果表明,当含有5%SiO2(摩尔分数)的BaO-B2O3-SiO2玻璃助剂的添加量为3%(质量分数)时,在1050℃保温3h烧结的样品的室温电阻率为210Ω.cm,升阻比为3.5个数量级。
- 孔明日姜胜林涂文芳
- BBSM烧结助剂对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响被引量：1
- 2009年
- 为了提高低温烧结BaTiO3基热敏陶瓷的PTC效应,提出在BaO-B2O3-SiO2烧结助剂中加入MnO(以Mn(NO3)2形式加入)的方法,研究了BaO-B2O3-SiO2-MnO(BBSM)烧结助剂对Y3+掺杂BaTiO3基热敏陶瓷的低温烧结和PTC特性的影响。结果表明:含有x[Mn(NO3)2]为0.06%的BBSM烧结助剂的样品,在1050℃保温3h下烧结后,其室温电阻率为306Ω·cm,升阻比为4.23×103。
- 孔明日姜胜林涂文芳黄兆祥
- 关键词：PTC效应
- 固相法制备细晶高性能PTCR被引量：2
- 2010年
- 针对正温度系数热敏电阻(PTCR)片式化技术对陶瓷晶粒尺寸提出的较高要求,利用固相法制备PTCR,结合提高施受主掺杂比(n(Y∶Mn)>21效果明显),高温预烧(1 220℃),低温烧结(1 300℃)等方法抑制晶粒长大;制备出平均晶粒尺寸小于2μm,室温电阻率为205Ω.cm,升阻比为4.082×104的BaTiO3基多层片式细晶PTC陶瓷,使多层片式PTCR产业化成为现实.
- 陈勇傅邱云张航航张波
- 关键词：固相法BATIO3
- 片式PTC热敏电阻瓷片再氧化工艺的研究
- 2011年
- 以乙酸钡(Ba(CH3COO)2)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)和硝酸钇(Y(NO3)3.6H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法制备掺1.6%(质量分数)施主钇(Y)的钛酸钡nm粉体.用此粉体制备叠层片式正温度系数热敏电阻(PTCR)用瓷片,其中用氮化硼(BN)和钛酸钡作为玻璃相原料.利用流延方法成型,流延生胚在体积分数为97%的N2和体积分数为3%的H2的还原气氛下烧结成瓷.通过采用不同的再氧化温度和时间去氧化烧成的瓷片,研究再氧化工艺对正温度系数(PTC)瓷片电性能的影响.结果显示:室温电阻率随再氧化温度的升高先增加后减小,而PTC效应逐渐增加;室温电阻率随再氧化时间的增加会出现一个最小值,再氧化时间对PTC效应影响不大;样品的耐压值随着再氧化温度或时间的增加而增大.
- 龚树萍邓钊洁刘剑桥刘欢
- 关键词：自发极化势垒
