湖南省自然科学基金(08JJ4002)
- 作品数：3 被引量：27H指数：2
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- 石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究被引量：15
- 2009年
- 在推导出的一般复式格子的π电子紧束缚能量色散关系的基础上,通过假定石墨烯纳米带的电子横向限制势为无穷大硬壁势,导出石墨烯纳米带的能量色散关系及石墨烯纳米带或为金属或为半导体的条件.结果表明:石墨烯纳米带的电子结构与其几何构型(对称性及宽度)密切相关,所以通过控制几何构型,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.这意味着石墨烯纳米带对于发展新型纳米器件具有重要意义.
- 胡海鑫张振华刘新海邱明丁开和
- 关键词：石墨烯纳米带紧束缚模型电子结构
- 分子电子器件简化模型的电子透射谱的计算
- 2009年
- 基于分子线耦合到电极的构成特点,采用简化的非对称多势垒连续隧穿模型模拟复合分子器件偏压下的电子隧穿过程,推导电子透射谱的解析表达式,同时计算垒宽、垒距、垒高、电子有效质量和所加偏压等参数与透射系数的关系,结果发现:当电子的能量为某些值时,出现明显的共振隧穿,且透射系数对这些参数的变化非常敏感,这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的输运性质.
- 李巧华张振华刘新海邱明丁开和
- 关键词：分子器件共振隧穿
- 单壁碳纳米管电子输运特性的稳定性分析被引量：13
- 2009年
- 基于变形单壁碳纳米管能量色散关系,计算了碳纳米管最低导带的电子速度及有效质量随形变系数变化的各种曲线,以此推测碳纳米管输运性质的稳定性问题.计算结果表明:对于特定类型的碳纳米管,只当其形变发生在某特定方向、且处于低形变(形变系数ε≤0.02)区时,电子平均速度vmean及平均有效质量mm*ean随形变改变才会很小(相对改变量≤2%),这意味着此时的碳纳米管低偏压电子输运性能是基本稳定的.而其他形变情形,电子平均速度vmean或电子平均有效质量mm*ean或两者随形变变化明显,甚至有跃变,这意味着其低偏压电子输运性能是不稳定的,甚至极不稳定.
- 梅龙伟张振华丁开和
