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广西省自然科学基金(0639004)

作品数:8 被引量:23H指数:3
相关作者:高英俊陈海波胡素梅张海林刘瑶更多>>
相关机构:广西大学茂名学院河池学院更多>>
发文基金:广西省自然科学基金国家自然科学基金广西研究生教育创新计划更多>>
相关领域:理学机械工程金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶体
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 2篇原子
  • 2篇原子成键
  • 2篇透射
  • 2篇合金
  • 2篇保护器件
  • 2篇ESD保护
  • 2篇ESD保护器...
  • 2篇GGNMOS
  • 2篇传输矩阵
  • 1篇第二相粒子
  • 1篇一维光子晶体
  • 1篇透射谱
  • 1篇缺陷层
  • 1篇缺陷模
  • 1篇左手
  • 1篇析出相
  • 1篇相场

机构

  • 8篇广西大学
  • 2篇河池学院
  • 2篇茂名学院
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇高英俊
  • 2篇苏安
  • 2篇胡素梅
  • 2篇陈海波
  • 2篇刘瑶
  • 2篇张海林
  • 1篇焦美娜
  • 1篇姚若河
  • 1篇罗志荣
  • 1篇张宁
  • 1篇文春丽
  • 1篇王玉玲
  • 1篇侯贤华
  • 1篇陈华宁
  • 1篇邱鸿广
  • 1篇黄创高
  • 1篇王庆松
  • 1篇王娜

传媒

  • 1篇激光杂志
  • 1篇发光学报
  • 1篇广西科学
  • 1篇有色金属
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇微电子学
  • 1篇河池学院学报
  • 1篇西南大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
相场法模拟多个空间取向的棒状第二相粒子对晶粒长大的影响被引量:4
2010年
采用相场法研究多个空间取向的棒状第二相粒子以及圆形第二相粒子对基体晶粒长大的影响。结果表明:在晶粒长大过程中,绝大部分棒状第二相粒子位于晶界处并与晶界方向一致,圆形第二相粒子大多位于三晶交点处;第二相粒子表现出强烈的钉扎晶界的作用,极限晶粒半径可以用Zener关系表示;在第二相粒子面积分数和粒子尺寸相同的情况下,当第二相粒子面积分数较小(<5%)时,棒状与圆形第二相粒子对晶粒长大的钉扎作用没有明显差别;当粒子面积分数较大(>5%)时,棒状第二相的钉扎效果好于圆形第二相的钉扎效果。
罗志荣高英俊邱鸿广张海林
关键词:相场法晶粒长大第二相粒子
掺杂一维光子晶体透射谱研究
2009年
用传输矩阵法计算模拟掺杂(含缺陷)一维光子晶体模型(ABCnAB)m的透射谱,当n=1,(AB-CAB)m的透射谱出现了有规律的共振透射带,具有宽带滤波的特性,当m=10时,(ABCAB)10随缺陷层C的折射率nc的变化,禁带中心频率处(1.0ω/ω0)出现了一个带宽由大变小变化的透射带,且每个透射带又分裂为恒定透射率的多个透射峰;当m=10,n为奇数时,模型(ABCnAB)10的透射谱出现奇数个透射带,n为偶数时,出现偶数个透射带,且每个透射带均分裂为9个透射峰。这些特性可用于设计可调性多通道滤波器等。
苏安张宁张海林高英俊焦美娜
关键词:传输矩阵光子晶体光子带隙缺陷模
Al-Mg-Sc-Zr合金的原子成键和力学性能
2009年
运用固体经验电子理论(EET),对掺微量Sc和Zr的Al-Mg合金的价电子结构进行计算.结果表明:在合金熔体凝固过程中,Zr,Sc与Al原子存在强烈的相互作用,首先生成初生的Al3Sc和Al3(ZrxSc1-x)粒子作为合金的非均质晶核,起细化晶粒作用;在合金凝固的过程中,由Zr,Sc与基体Al原子的强烈相互作用,易形成Al-Zr,Al-Sc,Al-Zr-Sc偏聚区.在后续的均匀化热处理过程中,容易从这些偏聚区析出细小的与基体共格的次生Al3Sc和Al3(ZrxSc1-x)粒子.由于这些析出的细小粒子与基体共格,并存在强的Al-Zr,Al-Sc共价键,提升了合金整体的共价键强度,阻碍位错的运动,使合金的硬度和强度都得到提高,合金的热稳定性更好.
苏安高英俊文春丽陈华宁黄创高
关键词:共价键力学性能
Al-Cu-Mg合金析出相的原子成键与性能被引量:3
2007年
根据固体与分子经验电子理论(EET),计算Al-Cu-Mg合金时效初期形成的GPB区和S″相的价电子结构。结果表明,GPB区具有较强的共价键络,而S″具有较强的总共价成键能,这两种析出相的主体共价键络都对合金基体具有增强作用。同时从价电子结构层次和析出相中Al原子的总成键能力合理解释了GPB区演化为S和S相的相变机理,并说明了相变对合金的强化作用。
侯贤华高英俊王玉玲王娜王庆松
关键词:金属材料AL-CU-MG合金价电子结构GP区
ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法
2009年
基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响。
刘瑶高英俊
关键词:ESDGGNMOS模拟仿真
复介电右手材料和左手材料构成的光子晶体的特性研究被引量:5
2009年
利用传输矩阵法研究了复介电右手材料和左手材料构成的光子晶体的带隙结构和光传输特性。研究结果表明:一维右手材料和左手材料构成的光子晶体具有宽禁带的特点,禁带中出现多个共振透射峰。当组成该光子晶体的右手材料为复介电且其虚部为负时,各共振透射模式都出现了较强的增益,且虚部的绝对值较小时,增益随着波长的增加呈指数减小。而虚部的绝对值较大时,增益与波长的关系近似呈倒"V"形状。随着复介电常量的虚部绝对值的增加,各透射增益先增加后减少,中间存在一极值点。而当组成该光子晶体的右手材料的复介电虑部为正时,表现为对各共振透射模式的吸收,且吸收随着波长的增加呈指数增加。这一结果为光子晶体同时实现多通道超窄带滤波器和光放大微器件提供了理论基础。
陈海波高英俊胡素梅
关键词:传输矩阵法
ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模被引量:2
2008年
基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNMOS二次击穿前的I-V特性。通过与TLP实际测试结果的比较,证实了所推导模型的可行性。
刘瑶姚若河高英俊
关键词:ESD保护器件GGNMOS
复介电常量双缺陷层的镜像对称光子晶体特性被引量:9
2008年
利用传输矩阵法研究了两个复介电常量缺陷层镜像对称一维光子晶体的带隙结构和光传输特性。重点讨论了缺陷层的复介电常量的虚部为负值且光学厚度为λ0/4的情形时对传输特性的影响。研究发现:当在光子晶体的两端加入具有负虚部的复介电常量缺陷层后,多处出现了较强的透射峰增益。随着缺陷层复介电常量的虚部与实部比值的增加,各处透射峰增益变化规律不同。但中心波长处的缺陷膜的位置和高度不变。这为光子晶体同时实现多通道超窄带滤波器和不同放大倍数的光放大微器件的设计提供了理论基础。而在光子晶体的两端加入具有正虚部的复介电常量缺陷层后,各透射峰都出现了吸收现象,且随着其正虚部值I的增加,吸收越明显,这给光子晶体实现放大功能提供了理论指导。
陈海波高英俊胡素梅
关键词:光子晶体
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