安徽省高校省级自然科学研究项目(2004kj289)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 相关作者：葛秀涛刘杏芹李永红方大儒侯长平更多>>
- 相关机构：中国科学技术大学滁州学院滁洲学院更多>>
- 发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学轻工技术与工程电子电信更多>>
- 锌掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
- 用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响。结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);ZnIn@缺陷电离的空穴对导带电子...
- 葛秀涛刘杏芹
- 关键词：电导
- 文献传递
- CdO对In_2O_3电导和气敏性能的影响被引量：6
- 2004年
- 为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。
- 侯长平李永红葛秀涛方大儒沈玲刘杏芹
- 关键词：电子技术电导率C2H5OH气敏性能
- 掺杂SO42-对In2O3电导和气敏性能的影响
- 用超声分散浸渍法制备了掺杂SO42-的In2O3半导体气敏材料,并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明:SO42-的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO42-（w（SO42-）≈2%）的存在,能提高材...
- 葛秀涛刘杏芹李永红
- 关键词：氧化铟气敏性能气敏材料
- 文献传递
- 锌掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
- 2004年
- 用化学共沉淀法制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉,研究了Zn2+对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:ZnO与In2O3间可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);Znin×缺陷电离的空穴对导带电子的湮灭,使固溶体电导变得很小;In1.95Zn0.05O3元件在223℃工作温度下对C2H5OH有很高灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型酒精敏感材料.
- 葛秀涛刘杏芹
- 关键词：电导
- 掺杂SO_4^(2-)对In_2O_3电导和气敏性能的影响被引量：2
- 2004年
- 用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料,并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明:SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度.
- 葛秀涛刘杏芹李永红
- 关键词：掺杂电导N型半导体气敏性能
