浙江省自然科学基金(R4090055)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
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- 单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移被引量：4
- 2013年
- 研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明:在快速热处理时,位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移;当快速热处理温度高于1100℃时,在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离.我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错,增加了位错的临界滑移应力,从而在相当程度上抑制了位错的滑移.可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度.
- 徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳杨德仁
- 关键词：位错滑移机械性能单晶硅
- 硅基Zn2SiO4：ZnO薄膜的电致发光被引量：1
- 2010年
- 利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4∶ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明:器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压(p-Si接正极)下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压(p-Si接负极)下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。
- 张瑞捷陈培良马向阳杨德仁
- 关键词：电致发光氧化锌硅酸锌硅
- SnO_2/p^+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度被引量：1
- 2014年
- 通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.
- 蒋昊天杨扬汪粲星朱辰马向阳杨德仁
- 关键词：SNO2电致发光
- 脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射被引量：3
- 2013年
- 分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜,用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄膜的结晶状态、表面形貌和光致发光等进行了表征.进一步对比研究了以上述两种方法制备的ZnO薄膜作为发光层的金属-绝缘体-半导体结构器件的电抽运紫外随机激射.结果表明,与以溅射法制备的ZnO薄膜作为发光层的器件相比,以脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜为发光层的器件具有更低的紫外光随机激射阈值电流和更高的输出光功率.这是由于脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜中的缺陷更少,从而显著地减少了紫外光在光散射过程中的光损耗.
- 徐韵李云鹏金璐马向阳杨德仁
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积
