北京市自然科学基金(2091003)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- 电沉积/硫化法制备CuInS_2薄膜微结构研究被引量：3
- 2010年
- 以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硫化中的反应动力学过程。结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相。KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好。当速度为3.3v0时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层。
- 阎有花刘迎春方玲李德仁卢志超周少雄李正邦
- 关键词：微结构
- 氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响
- 2010年
- 采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。
- 侯立婷刘迎春方玲胡小萍朱景森阎有花李艳萍卢志超周少雄
- 关键词：硫化氧太阳电池
- 功率密度对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 利用中频磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积掺铝氧化锌(ZnO∶A l,简称AZO)薄膜,通过调整溅射功率密度参数得到沉积速率与功率密度之间的关系,制备了不同厚度的AZO薄膜。利用台阶仪、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和H all测试系统等方法研究了功率密度与厚度对AZO薄膜结构、组分、光学和电学性能的影响。实验结果表明,功率密度为4W/cm2、薄膜厚度为739nm时薄膜的综合性能较好,其电阻率为1.136×10-3Ω.cm,可见光区的平均透过率为90.5%。改善结晶质量能显著提高AZO薄膜的光电性能。
- 张承庆胡小萍朱景森方玲李德仁卢志超周少雄
- 关键词：功率密度中频磁控溅射
- 喷涂法制备缓冲层CuI薄膜的生长(英文)
- 2011年
- 采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD衍射结果表明:碘掺杂的CuI薄膜具有γ态立方闪锌矿结构,沿(111)晶面择优取向生长。SEM结果显示CuI薄膜的微结构与乙腈溶液中碘掺杂量有关;当乙腈溶液中掺杂碘为0.025g时,所制备的CuI薄膜均匀、致密,在可见光区域光学透过率可达75.4%,禁带宽度接近2.96eV。
- 阎有花刘迎春方玲卢志超李正邦周少雄
- 关键词：缓冲层喷涂法
- 载气流量对CIS薄膜性能的影响
- 2010年
- 采用Cu-In预制层后硫化法制备CuInS2(CIS)薄膜。研究了硫源处载气流量对薄膜形貌、成分及结构等的影响。用扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、成分、结构进行了表征,并用扩散生长模型加以解释。结果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In预制膜,在不同的载气流量下,硫化后所制备的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu结构。检测结果支持铜、铟离子穿过先期生成的CIS膜向外扩散,在表面处与硫反应生成CIS的生长模型。
- 侯立婷刘迎春方玲胡小萍朱景森李艳萍卢志超周少雄
- 关键词：硫化太阳能电池
