江苏省自然科学基金(BK2007605)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：郭宇锋王志功管邦虎薛龙来周井泉更多>>
- 相关机构：南京邮电大学东南大学南通大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计被引量：3
- 2010年
- 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,并开发了用于优化窗口尺寸和位置的计算机程序。TCAD 2-D工艺仿真验证了该技术的可行性。设计了漂移区长度约为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,与RESURF结构器件相比较,其漂移区电场近似为理想的常数分布,并且击穿电压提高约8%,漂移区浓度提高约127%。由此可见,VLT是一种理想的横向耐压技术。
- 薛龙来郭宇锋周井泉孙玲
- 关键词：SOLLDMOS
- SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型
- 2008年
- 高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一。首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式。模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证。
- 郭宇锋王志功
- 关键词：电场分布击穿电压
- 变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计被引量：3
- 2010年
- 提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20%,纵向击穿电压提高10%,而且可以使漂移区掺杂浓度提高150%～200%,从而降低漂移区电阻,使器件优值提高40%以上。进一步研究表明,对于所研究的结构,采用一阶或二阶阶梯作为线性漂移区的近似,可以降低制造成本,并且不会导致器件性能的下降。
- 郭宇锋王志功管邦虎
- 关键词：绝缘层上硅击穿电压
- 一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构
- 本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构,并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5...
- 郭宇锋蹇彤徐跃王志功
- 关键词：SOI击穿电压
- 文献传递
- 阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件
- 本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新高压器件结构——阶梯漂移区SOI结构,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5%～10...
- 郭宇锋王志功
- 关键词：SOI击穿电压
- 文献传递
