国家自然科学基金(50672136)
- 作品数：7 被引量：61H指数：3
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- 白色发光二极管用荧光粉研究进展(Ⅱ)——近紫外光发射半导体芯片激发的荧光粉(续)与器件研究被引量：10
- 2007年
- 综述了近三年来半导体白色发光二极管(WLED)用荧光粉的研究进展。文章主要从蓝光芯片激发和近紫外光芯片激发的角度分别介绍了红粉、绿粉、黄粉、蓝粉以及单基质白色荧光粉的研究概况,对性能较好的荧光粉作了重点推介,同时也综述了WLED器件的最新进展。指出了目前该领域存在的问题并对其发展趋势作了简要展望。
- 徐修冬许贵真吴占超汪正良龚孟濂
- 关键词：白光LED荧光粉
- 一种含铕(Ⅲ)高分子共聚合物的合成及其在LED的应用
- 首次报道稀土高分子共聚物在发光二极管(LED)中的应用.用马来酸酐(MA)和苯乙烯(St)为单体,用反相乳液聚合法合成了聚马来酸-苯乙烯高分子聚合物；以马来酸为连接配体,二苯甲酰甲烷(DBM)为第一配体,邻菲罗啉(phe...
- 闫海刚赵俊王慧慧何沛石建新龚孟濂
- 关键词：马来酸酐苯乙烯二苯甲酰甲烷
- YVO_4:Eu^(3+)的EDTA络合溶胶-凝胶法制备、发光及其在LED中的应用被引量：8
- 2009年
- 以稀土硝酸盐和偏钒酸铵,用EDTA络合溶胶-凝胶法合成了红色荧光粉YVO4:Eu3+。热重分析结果表明,反应前驱体在650℃左右分解完全;X-射线衍射结果表明,前驱体在650℃下焙烧可得到纯相YVO4:Eu3+;扫描电镜结果显示,产物的形貌为类八面体,EDTA络合溶胶-凝胶法制备的样品粒径小于高温固相法;光致发光结果表明,利用EDTA络合溶胶-凝胶法在650~950℃范围内均可制备发光性能良好的荧光粉。将荧光粉封装在InGaN近紫外芯片上制作了LED器件,测定了器件的电致发光光谱、色坐标等参数。
- 周芳享石建新张信果龚孟濂
- 关键词：发光LED
- 4,4′-双(4″,4″,4″-三氟代-1″,3″-二氧代丁基)联苯铕配合物的合成及发光性能被引量：1
- 2009年
- 合成了2个新的配合物Eu2(btb)3(H2O)4(1)和Eu2(btb)3(phen)2(2)[H2btb=4,4′-双(4″,4″,4″,-三氟代-1″,3″-二氧代丁基)联苯,phen=1,10-邻菲罗啉].采用元素分析、红外光谱、紫外光谱和快原子轰击质谱表征了2个配合物的结构.在近紫外光激发下,配合物1和2都发射出强的铕离子特征红光.对614nm红光进行监控,其激发光谱在395nm处具有最大的激发强度,与InGaN芯片发射的近紫外光激发相匹配.将配合物1和2与395nm发射的InGaN芯片进行组合制备了红色发光二极管.在配合物和硅树脂的质量比为1∶25的情况下,2个红色发光二极管的色坐标分别为x1=0.5210,y1=0.2285(配合物1);x2=0.5835和y2=0.2857(配合物2),位于标准的国际色坐标红色区域;器件的发光效率分别为0.65和0.76lm/W.研究结果表明,配合物1和2是制作白光二极管可供选用的红色发光材料.
- 刘生桂王慧慧何沛石建新龚孟濂
- 关键词：铕配合物化学合成发光
- 4,4,4-三氟-1-(4′-邻三联苯基)-1,3-丁二酮邻菲咯啉铕(Ⅲ)配合物的合成及发光(英文)
- 2009年
- 合成了一个新配合物EuL3phen,[HL=4,4,4-三氟-1-(4′-邻三联苯基)-1,3-丁二酮,phen=邻菲咯啉]。该化合物在半导体InGaN芯片发出的近紫外光激发下能够发出铕髥离子特征红光,发光量子效率为9%。将配合物EuL3phen和半导体395 nm发射InGaN芯片组合,成功地制备了红色发光二极管。在配合物和硅胶质量比为1∶25时,器件色坐标为x=0.6123,y=0.3128,光效为0.68 lm.W-1。
- 刘生桂龚孟濂石晓波曾木兰
- 关键词：铕配合物发光
- 白色发光二极管用荧光粉研究进展(Ⅰ)——蓝光或近紫外光发射半导体芯片激发的荧光粉被引量：41
- 2007年
- 综述了近三年来半导体白色发光二极管(WLED)用荧光粉的研究进展。主要从蓝光芯片激发和近紫外光芯片激发的角度分别介绍了红粉、绿粉、黄粉、蓝粉以及单基质白色荧光粉的研究概况,对性能较好的荧光粉作了重点推介,同时也综述了WLED器件的最新进展。指出了目前该领域存在的问题并对其发展趋势作了简要展望。
- 徐修冬许贵真吴占超汪正良龚孟濂
- 关键词：白光LED荧光粉
- 可见光激发的Eu(Ⅲ)三元有机配合物的合成、发光及LED器件
- Eu(Ⅲ)有机配合物作为一种用于近紫外激发的红色荧光材料，耐紫外辐射稳定性较差一直是其应用的瓶颈.本文对咔唑基Eu(Ⅲ)配合物进行修饰，设计、合成了一种新的β-二酮—邻-4-喹啉基.2苯乙酮基-乙基咔唑苯二酮(EIQYE...
- 王慧慧何沛闫海刚石建新龚孟濂
- 4,4,4-三氟-1-(4'-间三联苯基)-1,3-丁二酮邻菲咯啉铕(Ⅲ)配合物的合成与发光被引量：3
- 2010年
- 合成了新的配合物EuL3phen,[HL=4,4,4-三氟-1-（4’-间三联苯基）-1,3-丁二酮,phen=邻菲咯啉]。采用元素分析,红外光谱,质谱对该配合物的结构进行了表征。该化合物在半导体InGaN芯片发出的近紫外光激发下,发出铕（Ⅲ）离子5D0—7FJ（J=0~4）跃迁特征红光,最大发射峰位于613 nm,发光量子效率为13%。配合物寿命为470μs,寿命曲线很好地和单指数衰减拟合曲线相吻合。配合物热稳定性达到220℃,满足制备LED器件的要求。将配合物EuL3phen和半导体395 nm发射InGaN芯片组合,成功地制备了红色发光二极管。发光二极管的色坐标、发光效率、配合物和硅胶质量比相关,在配合物和硅胶质量比为1∶25时,器件色坐标为x=0.64,y=0.35,光效为0.89 lm.W-1。该配合物是充当制作白光LED用的潜在的红色发光组分。
- 刘生桂林城右王慧慧何沛龚孟濂
- 关键词：铕配合物化学合成
- 双四甲基铵四[4,4′-双(4,″4,″4″-三氟代-1,″3″-二氧代丁基)联苯]双核铕(Ⅲ)配合物的合成及发光被引量：1
- 2009年
- 合成了新配合物[N(CH3)4]2[Eu2(btb)4](H2btb=4,4′-双(4,″4,″4,″-三氟代-1,″3″-二氧代丁基)联苯)。通过元素分析、红外光谱、紫外光谱对配合物的结构予以表征。在近紫外激发下,该配合物发射出强的铕离子特征红光。监控614 nm的发射光,其激发光谱在391nm处具有很强的激发强度,能够被InGaN芯片发射光有效激发而发红光。将该配合物与395 nm发射的InGaN芯片组合制成了红色发光二极管,当配合物和硅树脂的质量比为1∶30时,红色发光二极管的色坐标为x=0.6214,y=0.3159,器件的发光效率为0.59 lm.W-1。结果表明,配合物[N(CH3)4]2[Eu2(btb)4]是制作白光二极管可供选用的红色发光材料。
- 刘生桂龚孟濂莫春生许莹
- 关键词：铕配合物发光
