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国家自然科学基金(20171007)

作品数:21 被引量:91H指数:7
相关作者:曹传宝朱鹤孙李超吕强项顼更多>>
相关机构:北京理工大学石家庄铁道学院郑州轻工业学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 19篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇化学工程

主题

  • 8篇氮化碳
  • 8篇电化学
  • 8篇电化学沉积
  • 5篇纳米
  • 4篇氮化碳薄膜
  • 4篇纳米管
  • 3篇光谱
  • 2篇氮化硼
  • 2篇电化学沉积法
  • 2篇电阻率
  • 2篇溶剂
  • 2篇溶剂热
  • 2篇硼碳氮纳米管
  • 2篇化学沉积法
  • 2篇红外
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 2篇XPS
  • 2篇BN纳米管
  • 2篇CNX薄膜

机构

  • 18篇北京理工大学
  • 3篇石家庄铁道学...
  • 2篇郑州轻工业学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇河南师范大学
  • 1篇新乡市中科科...

作者

  • 18篇曹传宝
  • 14篇朱鹤孙
  • 10篇李超
  • 8篇吕强
  • 4篇项顼
  • 3篇籍凤秋
  • 3篇张加涛
  • 2篇黄福林
  • 2篇张家涛
  • 2篇徐甲强
  • 2篇朱鹤荪
  • 2篇杨书廷
  • 1篇薛守洪
  • 1篇翟华嶂
  • 1篇谢冰
  • 1篇邱海林
  • 1篇孙雨安
  • 1篇杨子光
  • 1篇康拥政
  • 1篇王大鸷

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇Scienc...
  • 2篇高等学校化学...
  • 2篇科学通报
  • 2篇Chines...
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇化工学报
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇应用化学
  • 1篇科技通讯(上...

年份

  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 7篇2003
  • 2篇2002
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
液相电化学沉积法制备高氮含量CN_x薄膜及性能的研究被引量:4
2003年
采用液相电化学沉积法 ,以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液 ,以镀有 ITO(铟锡氧化膜 )的导电玻璃为衬底制备了 CNx 薄膜 .初步探讨了沉积温度和沉积电压对薄膜中氮含量的影响 .通过 XPS、 FTIR光谱、SEM和 US-Vis光谱对得到的 CNx 薄膜的化学结合状态、结构形貌和光学性质进行了表征 ,并用高电阻仪对薄膜的绝缘性进行了分析 .XPS结果表明 ,CNx 薄膜中碳氮主要以单键连接 ,sp3 杂化的 C— N键占 85 % .在 IR光谱中 ,仅出现了 C—N键和 C N双键的吸收峰 .SEM图谱显示 CNx 薄膜呈颗粒状 ,粒径平均为80 nm左右 .在水浴加热条件下沉积的 CNx 薄膜在 2 0 0~ 30 0 nm近紫外区为非线性吸收 .薄膜的电阻率随氮含量的增加而增大 ,测量值在 1 0 1 2~ 1 0 1 6Ω·cm之间 .
张加涛曹传宝吕强李超朱鹤孙
关键词:CNX膜材料
类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积被引量:19
2003年
用 1:1.5的三聚氯氰和三聚氰胺的饱和乙腈溶液为沉积液 ,在Si(10 0 )衬底上室温常压下电化学沉积了CNx薄膜。用X射线光电子能谱 (XPS)、傅立叶转换红外光谱 (FTIR)、X射线衍射图谱 (XRD)对沉积的CNx 薄膜进行了测试和分析。XRD的衍射峰的结构数据与文献计算的类石墨相氮化碳的结构数据较为吻合。XPS结果表明沉积的薄膜中主要元素为C、N ,且N/C =0 .81,C1s和N1s的结合能谱中 2 87.84eV的碳和 4 0 0 .0 0eV的氮是样品中碳氮的主体 ,以C3 N3 杂环的形式存在。FTIR光谱中在 80 0cm-1、1310cm-1和 16 10cm-1的吸收峰也表明薄膜中存在C3 N3环 ,和XPS能谱的分析结果一致。Teter和Hemley预言的g C3 N4在结构形式上和三聚氰胺的完美脱胺缩聚物是一样的 ,红外光谱和X射线光电子能谱表明在样品中存在三嗪环 (C3 N3 ) ,支持XRD的实验结果。这说明CNx 薄膜中有类石墨相的C3 N4晶体存在。
李超曹传宝朱鹤孙吕强张加涛项顼
关键词:电化学沉积三聚氯氰三聚氰胺
碳氮纳米晶体的制备与表征被引量:3
2007年
采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、650℃以上的温度条件下热处理4h,制备出C3N4纳米单晶。X射线粉末衍射(XRD)确定出样品中主要晶相为β-C3N4,此外还有少量的α-C3N4。电子衍射、红外光谱测试结果进一步表明产物的结构为C3N4单晶。
籍凤秋康拥政曹传宝
氮化碳材料的研究进展被引量:5
2006年
氮化碳材料是通过理论计算设计的化合物材料,其研究在科学和技术上具有重大意义,是凝聚态物理学和材料科学研究的热点之一.本文总结了氮化碳材料的结构预测、表征、合成的研究进展,并且讨论了这类材料的性能,尤其是电导率的研究现状.
李述中李超徐甲强孙雨安杨书廷曹传宝朱鹤孙
关键词:氮化碳
碳氮晶体材料的苯热合成及鉴定
以无水CNCl和LiN的苯溶液作为初始原料,在压力为6~7 MPa,温度为360℃条件下,利用苯热的合成方法成功地制备出了碳氮晶体。X光粉末衍射(XRD)确定出样品中主要晶相成分为α-CN及β-CN,晶格常数分别为α=0...
吕强曹传宝朱鹤孙
关键词:溶剂热合成傅里叶变换红外光谱
文献传递
机械法合成BN纳米管被引量:1
2006年
籍凤秋曹传宝徐红杨子光
关键词:BN纳米管氮化硼
Mechanosynthesis of Boron Nitride Nanotubes被引量:2
2006年
籍凤秋曹传宝徐红杨子光
关键词:BORONNITRIDENANOTUBEMECHANOSYNTHESISCYLINDRICAL
Solvothermal synthesis of crystalline carbon nitrides被引量:6
2003年
A solvothermal reaction of anhydrous C3N3Cl3 and Li3N using benzene as the solvent has been carried out to prepare crystalline carbon nitrides successfully at 350℃ and 5—6 MPa. X-ray diffraction (XRD) indicated that the major part of our brown sample was mainly composed of a-C3N4 and b-C3N4 with lattice parameters of a = 0. 65 nm, c = 0.47 nm for a-C3N4 and a = 0.644 nm, c = 0. 246 nm for b-C3N4, which match the latest ab-initio calculations quite well. The N/C ratio in the powder is about 0.66. The Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spec-troscopy (XPS) analyses suggested the presence of both sin-gle and double carbon-nitrogen bonds. The kinetics effects of our solvothermal reaction to prepare crystalline carbon ni-trides are also discussed chiefly.
L Qiang, CAO Chuanbao & ZHU Hesun Research Center of Materials Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China
关键词:超硬材料
铟锡氧化物导电玻璃上高氮含量氮化碳薄膜的电化学沉积及其性能研究被引量:3
2004年
在铟锡氧化物导电玻璃基底上,采用二氰二胺(C2N4H4)的乙腈饱和溶液电化学沉积高氮含量的CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜主要由C,N组成,最高nN/nC=1.22(接近C3N4中氮与碳的化学计量数比1.33).傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明碳和氮主要以C—N,CN的形式形成共价键.样品具有较宽的带隙,在50℃,1250V下得到的薄膜样品的光学能隙为2.32eV.实验结果表明,电压在1000~1300V、温度在30~50℃时能得到氮含量较高的薄膜.
李超曹传宝朱鹤荪
关键词:氮化碳电化学沉积
液相放电法合成氮化碳晶体被引量:16
2004年
A new electrodeposition system, with a thin nickel wire as the anode, was used to deposit the CN x thin film on Si(100) substrate from a dicyandiamide-saturated solution in acetonitrile at a high potential. During the experiment, when a certain high potential was applied, spark occurred between the Ni wire anode and the Si(100) substrate. The films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier-transform infrared spectroscopy(FTIR), scaning electron microscopy(SEM) and X-ray diffraction(XRD). It was indicated that multiphase of α-C 3N 4, β-C 3N 4 and g-C 3N 4 was obtained in the films. This work is the first attempt to deposit carbon nitride material through a thin nickel wire anode and might provide a new route for preparing pure crystalline C 3N 4.
李超曹传宝朱鹤孙吕强张加涛项顼
关键词:电化学沉积高硬度材料
共3页<123>
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