国家重点基础研究发展计划(51327030201)
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 相关作者：王勇杨克武冯震张志国蔡树军更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家基础科研基金资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X波段大功率GaN HEMT的研制
- 2008年
- 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。
- 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武
- 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率
- f_(max)为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文)
- 2005年
- 制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0·3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0·85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振荡频率分别为45和100GHz;4GHz频率下输出功率密度和增益分别为1·8W/mm和9·5dB,8GHz频率下输出功率密度和增益分别为1·12W/mm和11·5dB.
- 李献杰曾庆明周州刘玉贵乔树允蔡道民赵永林蔡树军
- 关键词：ALGAN/GANHEMT蓝宝石
- 蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性被引量：2
- 2006年
- 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%.
- 张志国杨瑞霞李丽冯震王勇杨克武
- 关键词：ALGAN/GANHFET整流特性输出功率
- GaN基HEMT场板结构研究进展被引量：3
- 2006年
- 综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式。
- 默江辉蔡树军
- 关键词：场板
- 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件被引量：5
- 2005年
- 报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.
- 张志国杨瑞霞王勇冯震杨克武
- 关键词：ALGAN/GANHFET跨导直流特性场板
- X波段GaN HEMT的研制
- 2008年
- 采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50V/1mA,栅源击穿电压大于40V/1mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20W,功率增益7dB,功率密度8W/mm。
- 王勇冯震宋建博李静强冯志宏杨克武
- 关键词：肖特基势垒击穿电压输出功率
