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与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS电流基准被引量：1: 2008年; 利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子(空穴)迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5μmCMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10-4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.; 王忆巩文超王义凯何乐年严晓浪; 关键词：电流基准体效应

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浙江省科技厅科技计划项目(2007C21021)