西安―应用材料创新基金(XA-AM-201012)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 相关作者：陈海峰过立新杜慧敏更多>>
- 相关机构：西安邮电学院西安邮电大学更多>>
- 发文基金：西安―应用材料创新基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 应力下LDD nMOSFET栅控产生电流退化特性研究被引量：1
- 2012年
- 研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态。进一步发现产生电流峰值在空穴应力对电子应力引发的退化的恢复程度与阈值电压和最大饱和漏电流不同。电子应力中陷落电子位于栅漏交叠区附近的沟道侧I区和LDD侧的II区中氧化层中。GIDL应力中,空穴注入进II区中和了陷落电子,使得产生电流的退化基本得到恢复,但这些空穴并未有效中和I区中的陷落电子,因此阈值电压和最大饱和漏电流退化恢复的程度较小,分别为20%和7%。
- 陈海峰过立新杜慧敏
- 关键词：应力阈值电压
- nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究
- 2013年
- 研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V
- 陈海峰过立新
- 关键词：衬底电流亚阈值电流NMOSFET
- pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究
- 2012年
- 研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。
- 陈海峰过立新杜慧敏
- 关键词：平带电压
