新疆维吾尔自治区自然科学基金(2010211B24)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 相关作者：陈朝阳范艳伟丛秀云张希涛周步康更多>>
- 相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院大学中国科学院更多>>
- 发文基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响被引量：3
- 2013年
- 采用电阻率为4.8.cm的p型硅片和10.cm的n型硅片,通过高温扩散法制备出了Fe掺杂的补偿硅材料。在室温避光条件下,测量样品电阻率ρ,并用XRD对扩散后的样品进行分析,研究了Fe掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响。结果表明:相对于n型硅材料,深能级杂质Fe掺杂对p型硅材料电阻率的影响更大,其Fe掺杂p型硅材料电阻率远大于Fe掺杂n型硅材料;当p型硅表面Fe扩散源浓度为1.74×10–5mol/cm2时,在1 200℃下扩散1 h后,材料具有最大电阻率7 246.cm。
- 周步康范艳伟陈朝阳
- 关键词：N型硅深能级杂质电阻率补偿度
- 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究被引量：3
- 2011年
- 采用开管涂源法,对ρ25为7？.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明：扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在（2~3）×103？.cm。
- 张希涛陈朝阳范艳伟丛秀云
- 关键词：NTC热敏电阻单晶硅金铂深能级杂质
