国家自然科学基金(60774055)
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 相关作者：文玉梅李平卞雷祥王东陈蕾更多>>
- 相关机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划NSAF联合基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 磁致伸缩/压电叠层复合材料磁-机-电耦合系数分析被引量：10
- 2009年
- 分析和推导了磁致伸缩/压电叠层复合材料的机-电耦合系数、磁-机耦合系数及磁-电耦合系数与磁致伸缩层和压电层性能参数及几何参数之间的关系.进一步分析表明,叠层复合材料低频时的磁电电压系数正比于磁-电耦合系数,谐振时的磁电电压系数正比于磁-电耦合系数与机械品质因素的乘积;磁电电压系数还与复合结构的本征阻抗有关,本征阻抗越大磁电电压系数越大.通过性能差异较大的Terfenol-D和FeNi基弹性合金分别与压电材料PZT5-H和PZT8相互组合构成复合材料的比较分析,进一步阐明了磁电复合材料磁-电耦合系数和机械品质因素在磁电转换中的作用及其物理意义.制备了Terfenol-D/PZT5-H和FeNi基弹性合金/PZT8叠层复合材料样品进行实验,理论分析能够较好的解释实验结果.
- 卞雷祥文玉梅李平
- 关键词：磁电效应磁致伸缩材料压电材料
- 高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响
- 2011年
- 采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfenol-D的饱和磁致伸缩系数,使得该层合结构具有更高的磁电电压输出.利用磁荷理论,分析了FeCuNbSiB对Terfenol-D内部有效磁场分布的影响,并采用磁致伸缩材料Terfenol-D的非线性本构关系和等效电路法研究了FeCuNbSiB对其磁致伸缩系数的影响以及该层合结构的低频磁电电压系数理论计算公式.通过实验研究表明:理论值和实验值定性符合,且该结构的低频最大磁电电压系数是Terfenol-D/PZT-8H(MP)层合结构的1.3倍.同时发现,当FeCuNbSiB厚度小于180μm时,层合结构的最大磁电电压系数与高磁导率材料FeCuNbSiB的厚度呈线性关系.
- 陈蕾李平文玉梅王东
- 关键词：磁电效应磁致伸缩材料压电材料
