上海市科委国际合作基金(055207041)
- 作品数：9 被引量：18H指数：3
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- 一种基于高频时钟产生电路的DLL的研究被引量：3
- 2007年
- 本文给出了一种采用自偏置技术的低抖动延迟锁相环,可应用于高频时钟产生电路。分析了环路带宽和工作频率的关系,并给出了各模块具体的电路设计。在0.35μm标准CMOS工艺、3.3V工作电压下进行了模拟仿真,在100MHz的参考输入频率下,DLL锁定时间为1μs,VCDL输出的相位抖动为17μs,倍频器输出的相位抖动为90μs。
- 杨文荣姜炜阳
- 关键词：锁相环延迟锁相环鉴相器电荷泵倍频器
- 音频数模转换器芯片内部低功耗的设计被引量：4
- 2007年
- 介绍了一种使用0.35μmCMOS工艺,用于24位采样率为44.1kHz的delta-sigma音频数模转换器(DAC)芯片的内部低功耗设计;为了减少面积和功耗,采用结合了混和FIR/IIR滤波器的直接电荷转换开关电容(DCT-SC)DAC,并只使用一个运算放大器;为了降低kT/C噪声,采用DCT-SC技术;为了降低带外量化噪声使用了混和FIR/IIR后置滤波器,因为输入是数字信号,所以加入一个FIR滤波器,使用的高性能运放,采用折叠共源共栅两级结构,增大输入输出范围和CMRR、PSRR;内部DAC所达到的性能对于所设计的音频芯片来说是足够的。
- 程媛媛杨文荣
- 关键词：数模转换器有限脉冲响应无限脉冲响应折叠共源共栅
- BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用
- 2008年
- 利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想。
- 程东方吕洪涛张铮栋
- 关键词：反向传播神经网络
- 多位数字delta-sigma调制器的设计被引量：1
- 2007年
- 本文介绍了一个高信噪比的、用在24位44.1kHz采样率的音频数/模转换器(DAC)中的4阶15级量化的delta-sigma调制器(DSM)。在设计中,为了减少量化噪声,选用了奇数个量化等级;为了提高动态范围(DR),在设计噪声传输函数(NTF)时对零点进行优化,通过这些方法降低量化噪声和时钟抖动的影响。这个DSM的峰值信噪比(SNR)可以达到130dB以上,满足0.35μmCMOS工艺设计的音频DAC的系统要求。本文给出了这个DSM的MATLAB仿真模型及仿真结果,并在此基础上给出了电路实现结构。
- 杨文荣程媛媛
- 关键词：DELTA-SIGMA调制器数模转换器过采样
- 一种高精度双极性带隙基准电压源的设计被引量：4
- 2007年
- 本文提出了一种基于双极性工艺的高性能带隙基准电压源的设计。该电路结构简单,性能优异。用Spectre进行仿真,结果表明,在-50～90℃的温度范围内,其温度系数为5.7ppm/℃;在3～15V的电源电压内,电源线性调整率为1.0mv/V,电源抑制比(PSRR)为-55dB。
- 冉峰于立明余建军王加东
- 关键词：带隙基准温度系数电源抑制比
- 一种消除FPD灰度图像显示低频闪烁的设计被引量：1
- 2007年
- 针对现有的FPD(平板显示器)灰度图像显示的低频闪烁提出了新的图像驱动设计。分析了FPD灰度图像显示过程中低频闪烁的产生原因,提出了分权插序扫描方法,有效地降低了低频闪烁的产生,提高了灰度图像的显示质量。
- 唐智杰冉峰徐美华
- 关键词：灰度平板显示器图像显示
- 流水线ADC中高速比较器的设计和分析被引量：4
- 2007年
- 设计了一个高速电压比较器,比较器由前置放大器和带复位端的动态比较器组成。采用charted公司的0.35um/3.3v模型,通过CADENCE进行模拟仿真,电路获得了高速、高分辨率的特性。在100Ms/s的工作频率下电路消耗0.29mw的功耗,并且具有6.5mv的低失调电压。因此,该电压比较器可适用于流水线ADC。
- 杨文荣王加东
- 关键词：失调电压
- 集成霍尔器件的一个仿真模型及其应用
- 2007年
- 提出了使用CMOS工艺的集成霍尔器件的一个新的电阻仿真模型。可用于设计集成霍尔传感器的整体设计,将磁信号转换为电信号。使用Verilog-AHDL语言实现,并且用Spectre电路仿真器执行,可实现宽温度范围应用。行为方程和行为参数建立在霍尔器件的基本理论和半导体物理的基础上并且经过电路仿真验证。为了提供对集成霍尔传感器的仿真方便性,使用了必要的Verilog-AHDL实现的磁场模型和霍尔模型。
- 冉峰薛同莲
- 关键词：霍尔传感器VERILOG-AHDL行为级仿真
- 高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究被引量：1
- 2008年
- 研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。
- 程东方张铮栋吕洪涛
- 关键词：闩锁效应
