您的位置： 专家智库 > >

湖南省科技厅重点项目(05FJ2005)

作品数：2 被引量：0H指数：0
相关作者：郑学军周益春唐明华成传品叶志更多>>
相关机构：湘潭大学更多>>
发文基金：湖南省科技厅重点项目国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇退火研究
  • 1篇全耗尽
  • 1篇全耗尽SOI
  • 1篇阈值电压
  • 1篇温度模型
  • 1篇YB
  • 1篇BI
  • 1篇MOSFET...

机构

  • 2篇湘潭大学

作者

  • 2篇唐明华
  • 2篇周益春
  • 2篇郑学军
  • 1篇张俊杰
  • 1篇唐俊雄
  • 1篇杨锋
  • 1篇叶志
  • 1篇成传品

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型(英文)
2008年
提出了一个全耗尽SOIMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACOATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.
唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
关键词：全耗尽SOIMOSFETS电势阈值电压
(Bi,Yb)_4Ti_3O_(12)薄膜退火研究
2007年
采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Yb0.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右。
成传品唐明华叶志周益春郑学军
关键词：溶胶-凝胶退火温度铁电性
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0