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湖南省科技攻关计划(S2006C3530)
作品数:
1
被引量:7
H指数:1
相关作者:
匡加才
陈曙光
黄伯云
李益民
叶昌
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2008
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热压烧结AlN陶瓷
被引量:7
2008年
以自蔓延高温合成(SHS)的AlN粉体为原料,以Y_2O_3-B_2O_3-CaF_2和YF_3-B-CaF_2系为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AlN陶瓷。结果表明,采用烧结助剂,在1750℃、压力为35 MPa、保温2 h的烧结条件下,可获得相对密度均98.8%、热导率为95W/(m·K)的AlN烧结体。通过对AlN试样断口的SEM分析可知:AlN晶粒大多呈直接结合,晶界相较少,有少量气孔存在。对AlN陶瓷进行后续热处理可提高其热导率,这主要是由于后续热处理后AlN陶瓷的晶界比较干净、AlN晶粒间呈直接结合而晶界相呈孤岛状分布。
匡加才
李益民
黄伯云
叶昌
陈曙光
关键词:
热压烧结
ALN
热导率
显微结构
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