国家高技术研究发展计划(2001AA312050)
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 相关作者：边静王志功王圩李宝霞熊明珍更多>>
- 相关机构：东南大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 23GHz0.2μm PHEMT倍频器被引量：1
- 2005年
- 应用异或逻辑运算,对输入信号进行非线性变换,产生偶次高阶谐波分量,实现二倍频功能.改进的异或门中,利用LC谐振回路作为异或门的负载,提取出希望得到的频率分量.利用三阶巴特沃斯低通滤波器,解决了芯片输入、输出接口问题.选用微带线和衬底接地的共面波导等不同结构的电感实现形式,充分利用了芯片面积.测试表明,芯片可以在22.62～23.24GHz频率范围内实现二倍频输出.
- 杨守军王志功朱恩冯军熊明珍夏春晓
- 关键词：滤波器电感
- 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法被引量：2
- 2003年
- 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) .
- 胡小华王圩朱洪亮王宝军李宝霞周帆田惠良舒惠云边静王鲁峰
- 关键词：电吸收调制DFB激光器
- 基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文)
- 2005年
- 报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.
- 张靖李宝霞赵玲娟王保军周帆朱洪亮边静王圩
- 关键词：可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂
- 12-Gb/s0.25-μmCMOS1:4分接器被引量：1
- 2006年
- 介绍光纤传输系统的组成,分析1:4分接器的树型结构,并给出其主要特点。在此基础上,进一步探讨树型结构中所用的1:2分接器,并给出其中的锁存器电路结构。此外,讨论了起重要作用的匹配电路以及驱动电路。电路采用标准的0.25μmCMOS工艺设计并实现。实际测试结果显示该电路能够稳定地在STM-16至STM-64所要求的数据速率下工作,最高工作速率为12.92Gb/s。
- 王贵王志功朱恩冯军王欢丁敬峰章丽熊明珍
- 关键词：光纤通信分接器CMOS
- 0.18μm CMOS 20Gb/s 1∶2分接器设计(英文)
- 2005年
- 使用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了1∶2分接器.核心电路单元采用一种新的高速、低电压锁存器结构实现.与传统的源极耦合场效应管逻辑结构的锁存器相比,其电源电压更低且速度更快.此外,为了拓展带宽, 在缓冲放大电路中采用了负反馈.测试结果表明芯片可以工作于20Gb/s数据速率下.电源电压为1.8V时,包括缓冲电路在内整个芯片的工作电流为72mA.
- 王贵王志功王欢丁敬峰熊明珍
- 关键词：分接器锁存器CMOS高速电路
- 用于10Gbit/s传输的对接集成DFB-LD/EA-MD光源(英文)
- 2005年
- 报道了用于10Gbit/s传输的DFB激光器和EA调制器对接集成器件的设计、制作和器件特性.工作主要集中于两个方面:提高激光器和调制器间的光学耦合;通过减小调制器电容提高调制带宽.集成器件显示出了良好的静态和高频特性:阈值电流典型值为15mA,最小值为8mA;100mA激光器偏置电流下,输出功率大于10mW;对消光比、电学回波损耗和调制带宽进行了测试,3dB带宽的测量值超过10GHz.
- 李宝霞胡小华朱洪亮王保军边静赵玲娟王圩
- 关键词：集成光电器件电吸收调制器分布反馈激光器3DB带宽
