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天津市教委基金(2004ZD01)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：徐娜陈希明薛玉明杨保和李化鹏更多>>
相关机构：天津理工大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频
  • 1篇射频磁控
  • 1篇硅衬底
  • 1篇氮
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇衬底
  • 1篇磁控
  • 1篇F

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇李化鹏
  • 1篇杨保和
  • 1篇薛玉明
  • 1篇陈希明
  • 1篇徐娜

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜被引量：9
2007年
采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。
杨保和徐娜陈希明薛玉明李化鹏
关键词：ALN薄膜
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共1页<1>
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