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武器装备预研基金(51456010103zk1001)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇应变量子阱
  • 1篇应变量子阱激...
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇MBE

机构

  • 1篇长春理工大学

作者

  • 1篇李辉
  • 1篇王玉霞
  • 1篇刘春玲

传媒

  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长
2006年
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。通过综合考虑各个因素,选用了A lInGaAs四元系统作为有源材料,优化设计出了高特征温度的半导体激光器结构,并用MBE设备生长这种结构,测试样品质量达到了设计要求。
王玉霞李辉刘春玲
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