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模拟集成电路重点实验室基金(9140C0903091004)

作品数:3 被引量:4H指数:1
相关作者:罗萍甄少伟杨康李江昆祝晓辉更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:模拟集成电路重点实验室基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇电路
  • 1篇电容
  • 1篇电容型
  • 1篇增强电路
  • 1篇数字滤波
  • 1篇数字滤波器
  • 1篇数字锁相
  • 1篇数字锁相环
  • 1篇瞬态
  • 1篇锁相
  • 1篇锁相环
  • 1篇全数字
  • 1篇全数字锁相环
  • 1篇滤波器
  • 1篇功耗
  • 1篇高速低功耗
  • 1篇NM
  • 1篇BCD工艺
  • 1篇CMOS

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇罗萍
  • 2篇甄少伟
  • 1篇杨汝辉
  • 1篇王曾
  • 1篇祝晓辉
  • 1篇刘俊杰
  • 1篇李江昆
  • 1篇庞振洋
  • 1篇杨康
  • 1篇张业
  • 1篇谢谦
  • 1篇梁国辉

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 3篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种带瞬态增强电路的无电容型LDO被引量:2
2012年
设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。
李江昆杨汝辉杨康祝晓辉甄少伟罗萍
一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路被引量:1
2012年
提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT)。分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路。电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点。
庞振洋王曾甄少伟罗萍
关键词:BCD工艺
90 nm CMOS全数字锁相环设计与实现被引量:1
2012年
设计了一种基于90nm CMOS工艺的全数字锁相环,重点介绍了几种子模块电路结构,包括鉴频鉴相器、时间数字转换器、数字控制振荡器和新型2阶数字滤波器,分别对其性能进行了分析。仿真测试结果表明,该锁相环具有输出频率高、锁定时间短、抖动小等特点。
谢谦梁国辉刘俊杰张业罗萍
关键词:全数字锁相环数字滤波器
共1页<1>
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