黑龙江省自然科学基金(F201202)
- 作品数：12 被引量：22H指数：3
- 相关作者：孙文军姚成宝袁浩然王金颖刘中洋更多>>
- 相关机构：哈尔滨师范大学教育部更多>>
- 发文基金：黑龙江省自然科学基金黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 脉冲激光辐照GaAs材料热效应研究被引量：2
- 2014年
- 为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材料的径向与纵向温度场分布,讨论了单光子吸收、双光子吸收及自由载流子吸收对辐照材料的温升贡献.计算结果表明:当激光功率密度升至1010 W/cm2,自由载流子对材料的温升贡献已超过单光子吸收对材料温升的贡献而占主导位置;当激光功率密度降至108 W/cm2以下时,两种非线性吸收对材料温升的贡献可以忽略.该结果与相关实验基本相符,表明了构建的物理模型具有科学性.
- 周海娇孙文军刘中洋
- 关键词：脉冲激光辐照损伤阈值单光子吸收双光子吸收
- InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析被引量：3
- 2015年
- 以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa下制得的薄膜样品带隙分别为1.825、1.74、1.82 e V.结果表明溅射压强为1.0 Pa时,带隙值最小,结晶质量最好.
- 王金颖王炫力袁浩然姚成宝孙文军
- 关键词：磁控溅射溅射压强INN光学带隙
- Eu^(3+)掺杂CaMoO_4微米荧光粉发光性质的研究被引量：10
- 2015年
- 运用化学沉淀的方法合成了不同Eu3+掺杂浓度CaMoO4微米荧光粉样品,详细研究了样品的光致发光性质.研究表明:CaMoO4:Eu可以被蓝光或近紫外光有效激发,实现高色纯度的红光发射;样品的黄昆因子数值数量级为102,是一种弱电声耦合材料;样品中Eu3+的跃迁强度参数(Ω2)随着掺杂浓度的提高而增大,但量子效率却随着掺杂浓度的提高而减小;通过对样品发光的浓度猝灭曲线的分析,确定Eu3+的理想掺杂浓度为25%,并判断出Eu3+在CaMoO4基质中通过交换相互作用实现能量传递.沉淀法制备的CaMoO4:Eu微米荧光粉具有发光色纯度好,制备工艺简单,耗时较少的优点,是一种性能优异的红色荧光粉材料.
- 赵聪孟庆裕孙文军
- 关键词：量子效率色坐标
- 温度对InAlAs/InGaAs量子级联激光器性能的影响
- 2015年
- 设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如偶极矩阵元、散射时间、增益系数、阈值电流密度、外微分量子效率等.分析了温度对阈值电流密度及激光输出功率的影响.结果表明在300K下输出功率为15m W,外微分量子效率为10%,部分参数优于相关文献.也为室温下工作的量子级联激光器设计奠定了理论基础.
- 袁浩然孙文军姚成宝王炫利王金颖程集
- 关键词：量子级联激光器
- Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品制备及其结构与带隙分析被引量：1
- 2015年
- 利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形貌的影响.通过对XRD图的分析表明,所制MgxZn1-xO薄膜样品为六角纤锌矿结构,且随着x值的增大,样品的晶格常数c逐渐减小;对比真空环境下,氧气中退火温度为500~600℃时更有利于提高样品的结晶质量.对吸收谱的分析表明随着Mg掺杂浓度增大,样品的吸收边向短波方向移动,带隙增大.
- 王炫力王金颖袁浩然姚成宝孙文军
- 关键词：退火蓝移带隙
- 氧化锡与石墨烯复合物的合成及其气体传感性能研究被引量：3
- 2016年
- 以中空管状氧化锡(SnO_2)和石墨烯(RGO)为材料通过静电纺丝和水热技术成功地合成了多孔结构的氧化锡与石墨烯的复合物(RGO/SnO_2).利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)以及X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Ramon)对样品的形貌和结构进行分析.同时测试了复合材料对NO2的传感性能,结果表明复合材料的传感性能优于SnO_2,并发现改变前驱液中SnO_2和GO的质量比会引起复合材料传感性能的改变.找到了SnO_2和GO在前驱液中的最佳配比为1%,其灵敏度在150℃的温度下对10ppm NO_2高达32.2,约是同等条件下纯SnO_2灵敏度的10倍.此外,文章对材料的传感机理也进行了讨论.
- 郭晶刘欣孙文军孙鉴波
- ZnO及Ag掺杂ZnO的形貌和非线性光学性质
- 2016年
- 利用磁控溅射技术制备了纯ZnO和Ag掺杂ZnO薄膜材料,并对其形貌和光学性质进行了研究.使用XRD、SEM分别对样品的晶体结构、形貌进行分析.结果表明,随着Ag掺杂量的提高晶体沿c轴方向生长逐渐减小,但样品依然是纤锌矿结构.(002)峰位偏移源于部分Zn2+被Ag+所替代,而引起的c轴方向上晶格常数的变化.透射谱测试结果表明Ag掺ZnO对可见光的透过率达到了80%,并比纯ZnO低.另外,利用Z-扫描技术对样品的非线性光学特性进行了分析.结果表明样品都表现了双光子的吸收特性,并Ag掺ZnO薄膜的双光子吸收系数大于纯ZnO薄膜.
- 谭明月姚成宝闫筱炎杨守斌孙文军
- 关键词：半导体薄膜磁控溅射非线性光学双光子吸收
- 热氧化温度对Cr和N共掺ZnO薄膜结构及性能的影响
- 2015年
- 首先利用共溅射方法在石英玻璃衬底上生长Zn_3N_2:Cr薄膜,然后用热氧化方法制备了Cr和N共掺ZnO薄膜,研究了不同热氧化温度对薄膜的结构、光学带隙及磁学性能的影响,XRD结果表明,薄膜样品具有纤锌矿结构,且沿c轴择优生长,随着热氧化温度的增加,样品的晶格常数c几乎没有改变,而晶粒尺寸先增大后减小。样品的吸收光谱表明温度的升高使薄膜样品的吸收边发生蓝移,即薄膜样品带隙值增大,磁性测试表明500℃热氧化温度获得的薄膜样品室温铁磁性最强。
- 孙可心金哲明杨芳淼谭明月姚成宝孙文军
- 关键词：热氧化室温铁磁性
- 电子束蒸发法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质
- 2012年
- 采用电子束蒸发法在蓝宝石衬底上制备了ZnO:Eu3+薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和光致发光(PL)光谱仪测试了不同退火温度下薄膜结构、形貌以及光致发光谱,分析了薄膜光致发光中的能量传递原理.结果表明:ZnO:Eu粒子为六角纤锌矿结构,且600℃退火后结晶更好;光致发光谱中Eu3+的特征发光中心波长分别位于617 nm和667 nm,且600℃退火温度下的Eu3+特征发光最强.适当的退火温度可有效形成Eu离子的发光中心.
- 孙大为孙文军
- 关键词：电子束蒸发光致发光
- 脉冲激光辐照TiO_2材料损伤的数值计算
- 2014年
- 构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的二维轴对称模型及热源模型,通过求解热传导方程计算了材料表面沿径向和纵向及材料表面中心的温度场分布.采用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics分析了1064 nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料TiO2的温度场分布.分析单光子吸收与自由载流子吸收对材料温升的影响.结果表明,对于波长为1064 nm的脉冲激光辐照TiO2,当激光的峰值功率密度达到108W/cm2时,自由载流子吸收的作用已不可忽视.计算温度场时,应同时考虑两种吸收.
- 刘中洋孙文军周海娇
- 关键词：脉冲激光辐照半导体材料单光子吸收
