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由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜(英文): 2007年; 提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米叶的厚度大约为20nm,宽度为100nm左右.用可变梯度磁力计测量了薄膜的磁滞回线,结果显示薄膜有很强的几何各向异性.; 戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良; 关键词：铁磁性 MNSB 物理气相沉积

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2: 2004年; 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：硅低能离子束重掺杂

低能离子束方法制备Mn-Si薄膜: 2005年; 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.; 刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束硅锰 X射线衍射

用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究被引量：11: 2007年; 利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0; 谢自力张荣修向前韩平刘斌陈琳俞慧强江若琏施毅郑有炓; 关键词：ALGAN DBR 紫外探测器 MOCVD

InN薄膜的氧化特性研究: 2007年; 研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性.研究表明,在400℃以下,InN薄膜很难被氧化,而金属In很容易被氧化.因此富In的InN薄膜的氧化在400℃以下主要是金属In的氧化,在400℃以上为金属In和InN的同时被氧化.在400℃以上的氧化过程中,InN的表观氧化速率非常慢,这可能和InN的高温分解有关.InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.; 谢自力张荣修向前刘斌朱顺明赵红濮林韩平江若琏施毅郑有炓; 关键词：INN 氧化铟 X射线衍射

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国家自然科学基金(60390072)